[实用新型]一种半导体器件驱动装置及包含其的变速传动装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体器件驱动装置及包含其的变速传动装置。 

背景技术

半导体器件驱动装置一般用于产生三相交流电压以通过变速传动装置驱动同步电机。该驱动装置可用于电动车，但也可作为其他用途用于其它领域。半导体器件驱动装置可采用多个栅极驱动半导体器件，如IGBT（绝缘栅双极型晶体管）或MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）。 

IGBT和MOSFETs是由栅极－发射极电压Vge驱动的半导体器件，并能够通过向栅极施加电压信号进行导通和关断。“导通”是指集电极－发射极从断开状态转换为导通状态。“关断”是指集电极－发射极从导通状态转换为断开状态。 

以下专利文件为现有的、用于控制驱动装置中半导体器件开关动作的驱动装置的示例：欧洲专利申请号2418776；国际专利申请号WO2008/153631，欧洲专利申请号EP1881587和欧洲专利申请号0817381。但这些用于控制半导体开关器件的半导体器件驱动装置不是在所有的运行条件中都适用，具有一定的局限性。 

实用新型内容

本实用新型旨在克服上述的问题，提供了一种半导体器件驱动装置，包含电压源，一个或多个半导体开关器件，一个或多个可选择地连接到所述半导体开关器件栅极的栅极阻抗电路，以及用于选择将一个或多个所述栅极阻抗电路连接到所述半导体开关器件的选择器；所述电压源连接所述栅极阻抗电路。 

上述半导体器件驱动装置还包含微处理器，所述微处理器分别连接所述一个或多个栅极阻抗电路和电压源。 

上述栅极阻抗电路包括第一电阻，第二电阻，和第一电容，所述第一电阻与所述第二电阻串联，所述第一电阻一端连接电压源，所述第二电阻一端连接所述半导体开关器件的栅极，所述第一电容一端连接在第一电阻和第二电阻中间，另一端连接所述半导体开关器件的发射极。 

上述栅极阻抗电路包括第一栅极阻抗电路和第二栅极阻抗电路， 

所述半导体器件驱动装置还包括连接所述第一栅极阻抗电路和所述半导体开关器件栅极之间的第一二极管，和连接在所述第二栅极阻抗电路和所述半导体开关器件栅极的第二二极管。 

上述第一栅极阻抗电路为两个或三个，所述第二栅极阻抗电路为相对应的两个或三个。 

上述第一栅极阻抗电路和第二栅极阻抗电路为全桥拓扑连接、串联、并联、与一个或多个其它栅极阻抗网络组合，或与其它栅极阻抗网络隔离连接。 

本实用新型还提供了一种变速传动装置包含上述所述的半导体器件驱动装置。 

附图说明

通过以下对附图的描述，本实用新型实施方式的特征和优点将变得更加容易理解，其中 

图1展示了一种半导体器件驱动装置的示例； 

图2具体地展示了半导体器件驱动装置的第一实施例； 

图3展示了将被执行用以确定所连接的栅极阻抗电路的程序的示例； 

图4展示了半导体开关器件导通过程中的集电极电流Ic的示例； 

图5展示了半导体开关器件导通过程中的集电极－发射极电压Vce的示例； 

图6展示了半导体开关器件导通过程中的栅极－发射极电压Vge的示例； 

图7展示了半导体开关器件关断过程中的集电极电流Ic的示例； 

图8展示了半导体开关器件关断过程中的集电极－发射极电压Vce的示例；及 

图9展示了半导体开关器件关断过程中的栅极－发射极电压Vge的示例。 

具体实施方式

下面对优选实施方式的描述仅仅是示范性的，而绝不是对本实用新型及其应用或用法的限制。在各个附图中采用相同的附图标记来表示相同的部件，因此相同部件的构造将不再重复描述。 

以下结合附图以及具体实施方式对本实用新型的技术方案做进一步说明。 

如图1所示，半导体器件驱动装置100包含半导体开关器件2（例如绝缘栅双极型晶体管IGBT或MOSFET）、开关装置4、驱动电压源6和微处理器8。微处理器8控制开关装置4的开关动作以及电压源6，以有效地开关半导体开关器件2并为负载10产生驱动信号。为简单起见，图1中的驱动装置100包含单一的半导体开关器件2（例如绝缘栅双极型晶体管IGBT或MOSFET）。但是需要认识到，驱动装置100可包含多个半导体开关器件2（例如绝缘栅双极型晶体管IGBT或MOSFET），并具有相关的开关装置4和微处理器8控制的驱动电压。