[实用新型]铸造多晶的热场控制装置有效
申请号: | 201320568697.3 | 申请日: | 2013-09-13 |
公开(公告)号: | CN203451644U | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 马标 | 申请(专利权)人: | 浙江绿谷光伏科技有限公司 |
主分类号: | C30B11/00 | 分类号: | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 |
代理公司: | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人: | 郑文涛;严晓 |
地址: | 323010 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铸造 多晶 控制 装置 | ||
技术领域
本实用新型属于光伏太阳能电池生产领域,具体是一种铸造多晶的热场控制装置。
背景技术
能源问题是当今世界上最大的热点问题之一,传统能源的大量使用,致使世界能源存储量急剧下降,而且使环境污染问题日趋严重,对人类社会的发展构成严重的危害,新兴无污染能源就成了能源技术发展的必然趋势。太阳能是长久的绿色能源之一,在太阳能利用中,光伏电池是目前最主要的一种产品,硅晶体是光伏电池生产的基础材料。硅晶体包括单晶体和多晶体,多晶将是今后光伏太阳能利用的重要产品材料。但目前多晶的生产过程中,温度的控制一直是个难题,温度在下降过程中容易出现高低不稳的现象,导致晶体生长不够均匀,造成电池效率不够高。
实用新型内容
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种铸造多晶的热场控制装置。
一种铸造多晶的热场控制装置,其特征在于在坩埚的上方和侧边分别设置有上加热板和侧加热板,所述上加热板和侧加热板包括加热器,所述加热器与炉体铜电极之间通过连接块连接,所述连接块上设置有上表面和下表面,所述上表面和下表面不在一个平面上,所述上表面和下表面之间通过斜面连接。
所述的一种铸造多晶的热场控制装置,其特征在于所述斜面的倾斜角度是45°。
所述的一种铸造多晶的热场控制装置,其特征在于所述上表面的长度比下表面长。
所述的一种铸造多晶的热场控制装置,其特征在于所述坩埚的外侧设置有隔热套体。
所述的一种铸造多晶的热场控制装置,其特征在于所述隔热套体的内壁上设置有隔热环。
所述的一种铸造多晶的热场控制装置,其特征在于所述坩埚的上方和底部分别设置有上温度传感器和下温度传感器。
本实用新型的一种铸造多晶的热场控制装置,控制了温度梯度,使温度在下降过程中不会出现高低不稳的现象,使晶体均匀生长,减少丝状晶的产生,整个硅片的晶体缺陷减少,提高了电池效率。
附图说明
图1是本实用新型的整体结构示意图;
图2是本实用新型的加热器和炉体铜电极的连接块结构示意图;
图中,1—坩埚;2—上加热板;3—侧加热板;4—隔热套体;5—隔热环;6—上温度传感器;7—下温度传感器;8—上表面;9—斜面;10—下表面。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型进行详细说明。
如图1和图2所示,本实用新型的一种铸造多晶的热场控制装置,在坩埚1的上方和侧边分别设置有上加热板2和侧加热板3,上加热板2和侧加热板3包括加热器,加热器与炉体铜电极之间通过连接块连接,连接块长度为22.5cm,比普通加热器连接块加长4cm左右。连接块上设置有上表面8和下表面10,上表面8和下表面10不在一个平面上,上表面8和下表面10之间通过斜面9连接,斜面9的倾斜角度是45°。上表面8的长度比下表面10长。坩埚1的外侧设置有隔热套体4,隔热套体4的内壁上设置有隔热环5,坩埚1的上方和底部分别设置有上温度传感器6和下温度传感器7。通过对加热器的连接块的加长设计以及连接块的上表面和下表面以及斜面的梯形设计,使通电电流稳定,加热区域加大,降低温度梯度,使温度在下降过程中不会出现高低不稳的现象,使晶体均匀生长。经过实验,采用本实用新型的热场控制装置,整锭硅片效率可以从16.8%提高到17.6%。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均包含在本实用新型的保护范围之内。
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