[实用新型]调节清洗刷压力的装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种调节清洗刷压力的装置。

背景技术

在半导体制造过程中，常常需要对半导体晶圆的表面进行化学机械抛光处理（Chemical Mechanical Polishing，CMP），即将半导体晶圆表面的一部分薄膜研磨去除。在抛光过程中半导体晶圆表面通常会残留很多玷污物，这些玷污物包括磨料颗粒、被抛光薄膜带来的颗粒以及从磨料中带来的化学玷污物。因此在进行化学机械抛光处理之后，还需要对半导体晶圆表面进行清洗处理。众所周知，上述玷污物均是受压力被挤压在所述半导体晶圆的表面，由于不同产品所需要的抛光程度不同，压力也就相应的不同，从而造成玷污物遭受到的压力也不同，因此，后续清洗时，也需要使用不同清洗程度对半导体晶圆进行清洗。

请参考图1，图1是现有技术中清洗刷的结构示意图，现有技术中清洗刷10为圆柱体，其表面设有若干凸点，凸点与半导体晶圆20的表面紧贴，能够粘附并去除残留在所述半导体晶圆20表面的玷污物，所述清洗刷10内部设有滚动轴11，所述滚动轴11能够带动所述清洗刷10在所述半导体晶圆20的表面进行滚动，所述滚动轴11上设有皮带12，所述皮带12能够随着所述滚动轴11转动，不同清洗程度意味着所述凸点与所述半导体晶圆20表面的接触面积以及压力程度有关，所述凸点与所述半导体晶圆20表面的压力越大，所述凸点与所述半导体晶圆20表面的接触面积也就越大，从而清洗的程度也就越大。正如上文提及，不同产品需要不同的清洗程度，也就是说，需要所述清洗刷10对所述半导体晶圆20的压力不同。现有技术中，通常都是通过人工凭借经验拉动皮带12来调节清洗刷10对半导体晶圆20的压力。然而，手动拉动皮带12并不能使压力十分精准，也就会造成清洗程度不可控，要么造成半导体晶圆20清洗不净，依然有许多玷污物存在；要么造成半导体晶圆20表面被过清洗，对半导体晶圆20表面造成一定的损伤。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种调节清洗刷压力的装置，能够自动准确的调节清洗刷对半导体晶圆表面的压力。

为了实现上述目的，本实用新型提出一种调节清洗刷压力的装置，用于调节清洗刷对半导体晶圆表面的压力，所述装置包括：

控制系统、压力转换器、气压阀、气体管路、气缸、清洗刷以及皮带；其中，所述压力转换器与所述气压阀通过气体管路连接，所述压力转换器与所述控制系统信号连接；所述气缸与所述气压阀通过气体管路连接；所述清洗刷与所述气缸通过皮带连接。

进一步的，所述装置还包括压力调节器和电磁阀，所述压力调节器和电磁阀均设置在气体管路上，所述电磁阀与所述控制系统信号连接。

进一步的，所述气缸和清洗刷均为2个。

进一步的，所述皮带为4根。

进一步的，所述气缸的两端均设有拉伸臂，所述皮带一端与所述拉伸臂连接。

进一步的，所述清洗刷两端均设有滚动轴，所述皮带的另一端与所述滚动轴连接。

进一步的，所述半导体晶圆放置在所述清洗刷之间。

进一步的，所述清洗刷表面设有若干凸点。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果主要体现在：控制系统能够给压力转换器信号，由压力转换器控制气压阀，气压阀使气体管路中的气压达到预定气压，气体进入气缸能够带动气缸拉动皮带，从而能够准确的由皮带调节所述清洗刷对半导体晶圆的压力。

附图说明

图1为现有技术中清洗刷的结构示意图；

图2为本实用新型一实施例中调节清洗刷压力的装置。

具体实施方式

下面将结合示意图对本实用新型的调节清洗刷压力的装置进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本实用新型由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。