[实用新型]RCC过压保护电路有效
申请号: | 201320542864.7 | 申请日: | 2013-09-02 |
公开(公告)号: | CN203707751U | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 刘吉昌 | 申请(专利权)人: | 广州德励电子科技有限公司 |
主分类号: | H02H7/10 | 分类号: | H02H7/10;H02H3/20 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 谢伟;黎坚怡 |
地址: | 510000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | rcc 保护 电路 | ||
1.一种RCC过压保护电路,包括电源模块、变压模块、直流整流滤波模块、开关模块、控制模块和反馈模块,所述变压模块包括输入绕组和输出绕组,且所述输出绕组与所述输入绕组相互感应;所述输入绕组的同名端与所述电源模块的输出端连接、所述输入绕组的异名端与所述开关模块的输入端连接,所述开关模块的输出端和控制端均与所述控制模块的输入端连接,所述控制模块的输出端接地,所述开关模块的输出端接地;所述输出绕组与所述直流整流滤波模块连接,所述反馈模块的输入端与所述直流整流滤波模块连接,所述反馈模块的输出端与所述控制模块连接;其特征在于,所述控制模块包括采样电阻、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一稳压管、第一二极管、第一三极管和第二三极管;所述开关模块的输出端和反馈模块的输出端均与所述采样电阻连接,并且采样电阻接地;所述第一电阻两端分别连接所述电源模块的输出端和所述第一二极管的正极,所述第一二极管的负极与所述开关模块的控制端连接;所述第一稳压管的阴极与所述第一二极管的负极连接,阳极与所述第二电阻连接,并且第二电阻接地;所述第一三极管的发射极与所述第一稳压管的阴极连接,集电极接地,所述第三电阻的两端分别连接所述第一三极管的发射极和基极;所述第四电阻的两端分别连接所述第一三极管的基极和所述第二三极管的集电极,所述第二三极管的发射极接地;所述变压模块还包括反馈绕组、第一电容和第二稳压管,所述反馈绕组感应所述输出绕组的电压,所述第一电容的两端分别连接所述反馈绕组的同名端与所述第一二极管负极,所述反馈绕组的异名端与所述第二稳压管的阴极连接,所述第二稳压管的阳极与所述开关模块的输出端连接。
2.根据权利要求1所述的RCC过压保护电路,其特征在于,所述变压模块还包括第二电容、第二二极管和第五电阻;所述第二电容与所述反馈绕组的异名端连接,并且第二电容接地;所述第二二极管的负极与所述反馈绕组的同名端连接,正极接地;所述第五电阻与所述第一电容关联后连接所述开关模块的控制端。
3.根据权利要求2所述的RCC过压保护电路,其特征在于,所述控制模块包括第六电阻和第七电阻;所述第六电阻与所述第一二极管的正极连接,并 且第六电阻接地;所述第七电阻两端分别连接所述开关模块的输出端和所述第二三极管的基极。
4.根据权利要求2所述的RCC过压保护电路,其特征在于,所述开关模块包括N沟道MOSFET和第三电容;所述N沟道MOSFET的漏极为所述开关模块的输入端,所述N沟道MOSFET的源极为所述开关模块的输出端,所述N沟道MOSFET的栅极为所述开关模块的控制端;所述第三电容的两端分别与所述N沟道MOSFET的漏极和源极连接。
5.根据权利要求1所述的RCC过压保护电路,其特征在于,所述输出绕组包括第一输出绕组和第二输出绕组,且所述第一输出绕组形成的负载和第二输出绕组形成的负载并联。
6.根据权利要求5所述的RCC过压保护电路,其特征在于,所述直流整流滤波模块包括第三二极管、第四二极管、第一电感、第二电感、第八电阻、第九电阻、第一滤波电容、第二滤波电容、第三滤波电容、第四滤波电容、第五滤波电容、第六滤波电容、第七滤波电容和第八滤波电容;所述第三二极管的负极与所述第一输出绕组的同名端连接,所述第一电感的两端分别连接所述第三二极管的正极和所述第八电阻的一端,所述第八电阻的另一端与所述第一输出绕组的异名端连接;所述第一滤波电容的两端分别连接所述第三二极管的正极和负极,所述第二滤波电容和第三滤波电容均与所述第八电阻并联,所述第四滤波电容的两端分别连接所述第三二极管的正极和所述第一输出绕组的异名端;所述第四二极管的正极与所述第二输出绕组的异名端连接,所述第二电感的两端分别连接所述第四二极管的负极和所述第九电阻的一端,所述第九电阻的另一端与所述第一输出绕组的同名端连接;所述第五滤波电容的两端分别连接所述第四二极管的正极和负极,所述第六滤波电容和第七滤波电容均与所述第九电阻并联,所述第八滤波电容的两端分别连接所述第四二极管的负极和所述第二输出绕组的同名端。
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