[实用新型]一种新型压控温补晶体振荡器有效

专利信息
申请号: 201320503801.0 申请日: 2013-08-19
公开(公告)号: CN203377842U 公开(公告)日: 2014-01-01
发明(设计)人: 阮秀川 申请(专利权)人: 阮秀川
主分类号: H03B5/04 分类号: H03B5/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100013 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 压控温补 晶体振荡器
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种新型压控温补晶体振荡器,属于晶体振荡器技术领域。

背景技术

压控温补晶体振荡器(VCTCXO)一般用在频率调制方式的通信机中,对它的要求是压控灵敏度要大(如12.8MHZ频率在压控电压1V时频率变化大于2KHZ)。中心频率要稳定(如在﹣40℃~﹢70℃)环境温度变化下,频率稳定度±1ppm。因此压控温补晶振电路应由压控电路和温度补偿电路组成。

在一般的压控温补晶振电路中,如图1所示,两个变容二极管串联组成压控电路。变容二极管D3用于温补电路,补偿电压加在变容二极管D3上,变容二极管D3的电容变化使晶振电路的频率变化和晶振电路由温度变化引起的频率变化方向相反,数值相等,则达到补偿的效果。

晶体的频率相对变化量为Δf/f=CqΔCL/2CL    (1)

其中,Cq为晶体的等效串联电容;CL为晶体和负载电容;ΔCL为压控电压引起的CL变化量。

晶体的负载电容CL=1/(1/C1+1/C2+1/C3)    (2)

C1、C2为电路中回路电容;C3为变容二极管一D1、变容二极管二D2串联后并上变容二极管三D3的等效电容。一般C1、C2要比C3大很多,因此可以近似的认为CL=C3;从公式(1)可以看出,要使压控灵敏度Δf变大,则要求ΔCL/CL大,也就是要求ΔCL大,而CL小。D1D2串联就是为了CL小。

从图1可以看出,ΔCL实际上就是变容二极管一D1和变容二极管二D2串联的电容变化量,由于补偿电路的变容二极管三D3是并联在变容二极管一D1、变容二极管二D2上,因此加大了负载电容CL,使ΔCL/CL减小,使得压控灵敏度小很难达到2KHZ/1V的要求,同样也使补偿精度降低达不到1ppm的要求。

实用新型内容

针对上述问题,本实用新型要解决的技术问题是提供一种新型压控温补晶体振荡器。

本实用新型的压控温补晶体振荡器,它包含晶振、电感、三极管、电阻一-四、变容二极管一-三、电容一、电容三、电容四,电阻三的一端分别与变容二极管一的负极、变容二极管二的负极连接,变容二极管二的正极分别与电阻四的一端、变容二极管三的正极、电阻一的一端连接且接地,变容二极管一的正极分别与电阻四的另一端、晶振的一端连接,晶振的另一端与电感的一端连接,电感的另一端分别与电容一的一端、三极管的基极连接,电容一的另一端分别与电容四的一端、三极管的发射极电阻一的另一端连接,电容四的另一端与变容二极管三的负极连接,三极管的集电极分别与电容三的一端、电阻二的一端连接。

本实用新型的有益效果:通过对电路的改进,将补偿电路和压控电路分开,由于D3不并联在D1、D2上,使得CL减小,则ΔCL/CL加大,加大了压控灵敏度,同时也于D1、D2不并联在D3上,也就提高了补偿精度。

附图说明

为了易于说明,本实用新型由下述的具体实施及附图作以详细描述。

图1为背景技术的结构示意图;

图2为本实用新型的结构示意图。

X1-晶振;L-电感;Q1-三极管;R1-电阻一;R2-电阻二;R3-电阻三;R4-电阻四;D1-变容二极管一;D2-变容二极管二;D3-变容二极管三;C1-电容一、C2-电容二;C4-电容三;C5-电容四。

具体实施方式

如图2所示,本具体实施方式采用以下技术方案:它包含晶振X1、电感L、三极管Q1、电阻一-四R1-R4、变容二极管一-三D1-D3、电容一C1、电容三C4、电容四C5,电阻三R3的一端分别与变容二极管一D1的负极、变容二极管二D2的负极连接,变容二极管二D2的正极分别与电阻四R4的一端、变容二极管三D3的正极、电阻一R1的一端连接且接地,变容二极管一D1的正极分别与电阻四R4的另一端、晶振X1的一端连接,晶振X1的另一端与电感L的一端连接,电感L的另一端分别与电容一C1的一端、三极管Q1的基极连接,电容一C1的另一端分别与电容四C5的一端、三极管Q1的发射极电阻一R1的另一端连接,电容四C5的另一端与变容二极管三D3的负极连接,三极管Q1的集电极分别与电容三C4的一端、电阻二R2的一端连接。

本具体实施方式实际上就是把图1中的电容二C2用变容二极管三D3代替,这样就使补偿电路和压控电路分开,同上分析由于变容二极管三D3不并联在变容二极管一D1、变容二极管二D2上,使得CL减小,则ΔCL/CL加大,加大了压控灵敏度。同时也由于变容二极管一D1、变容二极管二D2不并联在变容二极管三D3上也加大了补偿精度。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

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