[实用新型]一种磁阻限流器

权利要求书

1.一种磁阻限流器，其特征在于：其包括：

基片、输入电极、输出电极、磁阻传感器层、第一绝缘层、线圈、第二绝缘层以及磁屏蔽层；

线圈位于磁屏蔽层和磁阻传感器层之间，第一绝缘层分隔线圈和磁阻传感器层，第二绝缘层分隔线圈和磁屏蔽层；

磁阻传感器层包括N行阵列式的磁隧道结行，N为大于1的整数，每行磁隧道结行包括一个或多个互联的磁隧道结单元，磁隧道结行之间以串联、并联或者混合串并联形成磁阻传感器层的两端口结构，线圈也具有两端口结构，磁阻传感器层的一个端口与线圈的一个端口相接，磁阻传感器层的另一个端口与输入电极相连，线圈的另一端口与输出电极相连；电流经输入电极流入磁阻传感器层，再经线圈从输出电极流出。

2.根据权利要求1所述一种磁阻限流器，其特征在于：所述磁阻传感器层的电阻与流经输入电极-输出电极的电流所产生磁场成线性关系，或所述磁阻传感器层的电阻与流经输入电极-输出电极的电流所产生磁场的绝对值成对称线性分布特征，当流经输入电极-输出电极的电流为正常值时，所述磁阻传感器层的电阻处于最小值或者最大值位置，且随直流电流增加或减小，其对应电阻也相应增加或减小。

3.根据权利要求1所述一种磁阻限流器，其特征在于：所述磁隧道结单元之间的连接方式是串联、并联或者串并联混合，所述磁隧道结单元的磁敏感轴垂直于磁隧道结行。

4.根据权利要求1所述一种磁阻限流器，其特征在于：所述线圈包含2*N+M个导电行，其中N>1，M=-1或3，并且所述导电行之间串联连接，所述导电行平行于所述磁隧道结行，部分所述导电行位于所述磁隧道结行的上方或下方，另外部分所述导电行位于所述磁隧道结行之间，电流正方向流入位于所述磁隧道结行之上或之下的导电行，反方向流入位于两个所述磁隧道结行之间的导电行。

5.根据权利要求1所述一种磁阻限流器，其特征在于：线圈包含N+M个导电行，其中N>1，M=0或2，并且所述导电行之间并联连接，所述导电行平行于所述磁隧道结行，所述导电行位于所述磁隧道结行的上方或下方，电流同方向流入各所述导电行。

6.根据权利要求4或5所述一种磁阻限流器，其特征在于：当M>0时，所述线圈的每个导电行的截面的尺寸相同；当M=0或M＜0时，通过改变所述线圈的导电行的截面尺寸，从而保证在所述磁阻传感器层的每一磁隧道结行的位置处产生恒定敏感轴向磁场。

7.根据权利要求1所述一种磁阻限流器，其特征在于：所述第一绝缘层、所述第二绝缘层的材料为二氧化硅、氧化铝、氮化硅、光刻胶或苯并环丁烯。

8.根据权利要求1所述一种磁阻限流器，其特征在于：所述线圈由铜、金或银这种高导电率金属材料制成。

9.根据权利要求1所述一种磁阻限流器，其特征在于：所述磁屏蔽层由NiFe、CoFeSiB、CoZrNb、CoFeB、FeSiB或FeSiBNbCu这种高磁导率铁磁合金制成。

10.根据权利要求4所述一种磁阻限流器，其特征在于：所述线圈的厚度为1-10 um，所述导电行的宽度为5-40 um，相邻两个所述导电行之间的间距为10-100 um。

11.根据权利要求1所述一种磁阻限流器，其特征在于：所述第一绝缘层、所述第二绝缘层的厚度均为100-1000 nm。

12.根据权利要求1所述一种磁阻限流器，其特征在于：所述磁屏蔽层的厚度为1-10 um。