[实用新型]一种基于L-半胱氨酸检测汞离子的传感芯片有效

专利信息
申请号: 201320416448.2 申请日: 2013-07-15
公开(公告)号: CN203337597U 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 曹忠;曹婷婷;吴玲;肖忠良;宋天铭;黄大凯 申请(专利权)人: 长沙理工大学
主分类号: G01N27/26 分类号: G01N27/26
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 410004 湖南省长沙市雨花区万家*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 基于 半胱氨酸 检测 离子 传感 芯片
【权利要求书】:

1.一种基于L-半胱氨酸检测汞离子的传感芯片,其特征是:该传感芯片包括一个L-半胱氨酸膜层(16)修饰的金膜基片(1),该金膜基片(1)的金层一角与外包有塑料绝缘层(3)的金属丝导线(2)相连接,连接处用环氧树脂胶(4)包裹密封。

2.根据权利要求1所述的传感芯片,其特征是:所述金膜基片(1)是在抛光的氮化硅基板(11)上逐步溅射沉积SiO2膜层(12)、金属铬膜层(13)、铜镍合金膜层(14)、金膜层(15),金膜层(15)经化学清洗处理后再在其表面上组装修饰L-半胱氨酸膜层(16)。

3.根据权利要求1所述的传感芯片,其特征是:所述金膜基片(1)的形状为正方形,其边长为6~12mm。

4.根据权利要求1所述的传感芯片,其特征是:所述金属丝导线(2)的材料为铜丝、铝丝或银丝。

5.根据权利要求2所述的传感芯片,其特征是:在抛光的氮化硅基板(11)上逐步溅射沉积的SiO2膜层(12)的厚度为80~380nm,金属铬膜层(13)的厚度为20—60nm,铜镍合金膜层(14)的厚度为80~380nm。

6.根据权利要求2所述的传感芯片,其特征是:铜镍合金膜层(14)经抛光处理后,在其表面上所沉积金膜层(15)的厚度为120~400nm。

7.根据权利要求2所述的传感芯片,其特征是:金膜层(15)经化学清洗处理后,在其表面上所组装修饰L-半胱氨酸膜层(16)的量为5~60ug。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长沙理工大学,未经长沙理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320416448.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top