[实用新型]一种基于L-半胱氨酸检测汞离子的传感芯片有效
申请号: | 201320416448.2 | 申请日: | 2013-07-15 |
公开(公告)号: | CN203337597U | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 曹忠;曹婷婷;吴玲;肖忠良;宋天铭;黄大凯 | 申请(专利权)人: | 长沙理工大学 |
主分类号: | G01N27/26 | 分类号: | G01N27/26 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410004 湖南省长沙市雨花区万家*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 半胱氨酸 检测 离子 传感 芯片 | ||
1.一种基于L-半胱氨酸检测汞离子的传感芯片,其特征是:该传感芯片包括一个L-半胱氨酸膜层(16)修饰的金膜基片(1),该金膜基片(1)的金层一角与外包有塑料绝缘层(3)的金属丝导线(2)相连接,连接处用环氧树脂胶(4)包裹密封。
2.根据权利要求1所述的传感芯片,其特征是:所述金膜基片(1)是在抛光的氮化硅基板(11)上逐步溅射沉积SiO2膜层(12)、金属铬膜层(13)、铜镍合金膜层(14)、金膜层(15),金膜层(15)经化学清洗处理后再在其表面上组装修饰L-半胱氨酸膜层(16)。
3.根据权利要求1所述的传感芯片,其特征是:所述金膜基片(1)的形状为正方形,其边长为6~12mm。
4.根据权利要求1所述的传感芯片,其特征是:所述金属丝导线(2)的材料为铜丝、铝丝或银丝。
5.根据权利要求2所述的传感芯片,其特征是:在抛光的氮化硅基板(11)上逐步溅射沉积的SiO2膜层(12)的厚度为80~380nm,金属铬膜层(13)的厚度为20—60nm,铜镍合金膜层(14)的厚度为80~380nm。
6.根据权利要求2所述的传感芯片,其特征是:铜镍合金膜层(14)经抛光处理后,在其表面上所沉积金膜层(15)的厚度为120~400nm。
7.根据权利要求2所述的传感芯片,其特征是:金膜层(15)经化学清洗处理后,在其表面上所组装修饰L-半胱氨酸膜层(16)的量为5~60ug。
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