[实用新型]一种抗交变磁场干扰的取样电阻器及磁保持继电器有效
| 申请号： | 201320392351.2 | 申请日： | 2013-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN203311953U | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 乐伟敏;万绍平;王乐平;刘笑宁;黄大刚;宿海清 | 申请（专利权）人： | 湖南航天经济发展有限公司;浙江朗万电气科技有限公司 |
| 主分类号： | H01C1/14 | 分类号： | H01C1/14;H01C1/16;H01H50/00;G01R11/02 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 郭立中;李发军 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抗交变 磁场 干扰 取样 电阻器 保持 继电器 | ||
1.一种抗交变磁场干扰的取样电阻器，包括第一导电片（1）和第二导电片（3），设置在第一导电片（1）和第二导电片（3）之间的采样电阻片（2）；其特征在于，所述第一导电片（1）与采样电阻片（2）的连接处设有外凸的第一信号取样端（7），所述第二导电片（3）与采样电阻片（2）的连接处设有外凸的第二信号取样端（8）；与第一信号取样端（7）相连的第一信号线（5）和与第二信号取样端（8）相连的第二信号线（6）绞合相连；所述采样电阻片（2）上开有用于所述第一信号线（5）或第二信号线（6）过线的通孔（4）。
2.根据权利要求1所述的抗交变磁场干扰的取样电阻器，其特征在于，所述第一导电片（1）和第二导电片（3）均呈一字形。
3.根据权利要求2所述的抗交变磁场干扰的取样电阻器，其特征在于，所述第一导电片（1）、采样电阻片（2）和第二导电片（3）连接后整体呈n形。
4.根据权利要求1所述的抗交变磁场干扰的取样电阻器，其特征在于，所述第一导电片（1）和第二导电片（3）均折弯呈L形。
5.根据权利要求1所述的抗交变磁场干扰的取样电阻器，其特征在于，所述第一信号取样端（7）与第二信号取样端（8）对称设置在采样电阻片（2）的两端，且所述第一信号取样端（7）与第二信号取样端（8）相对设置。
6.根据权利要求5所述的抗交变磁场干扰的取样电阻器，其特征在于，所述第一信号取样端（7）的根部点和第二信号取样端（8）的根部点相对采样电阻片（2）的立体中心点形成原点对称。
7.根据权利要求1~6之一所述的抗交变磁场干扰的取样电阻器，其特征在于，所述采样电阻片（2）为高电阻率材料制成的电阻片。
8.一种抗交变磁场干扰的磁保持继电器，包括继电器本体（9）、动片和静片；其特征在于，所述继电器本体（9）上设置有如权利要求1-7之一所述的抗交变磁场干扰的取样电阻器。
9.根据权利要求8所述的抗交变磁场干扰的磁保持继电器，其特征在于，所述的抗交变磁场干扰的取样电阻器的采样电阻片（2）沿着静片的长度方向纵向布置。
10.根据权利要求8所述的抗交变磁场干扰的磁保持继电器，其特征在于，所述的抗交变磁场干扰的取样电阻器的采样电阻片（2）垂直于动片的长度方向横向布置。
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