[实用新型]气体反应连续腔

说明书

技术领域

本实用新型是与用以进行气体反应（例如硒化反应）的装置有关，特别是关于一种气体反应连续腔。

背景技术

在半导体制程中，时常包含有进行气体反应的步骤，例如CIGS（Copper Indium Gallium Selenide）太阳能电池中的铜铟镓硒玻璃板，其玻璃基板溅镀铜、铟、镓、硒等材料后，需加热至能使硒产生气体反应（亦即硒化反应）的温度，以于玻璃基板上合成出CIGS半导体薄膜。

现有进行气体反应的方式，是将已镀有反应材料的基板设置于一呈真空状态或设有特定气体（例如氮气）的封闭腔室内，且该腔室内设有加热器（例如红外线加热器），然后，先将基板温度从室温升高到气体反应所需的温度（例如硒化反应需达摄氏500～550度），且升温速度不可过快以免基板破裂，气体反应完成之后，需先将基板逐渐降温到摄氏200度以下，才能将基板自该腔室取出，以避免基板因与室温的温差过大而破裂。

然而，前述过程相当费时，而且，该腔室内必须依序完成加热、反应及冷却的步骤后，才能再对另一基板重复进行同样的过程，因此其效率不佳而仍有待改进。

发明内容

有鉴于上述缺失，本实用新型的主要目的在于提供一种气体反应连续腔，可对受反应物进行加热、气体反应及冷却的步骤，且具有良好的效率。

为达成上述目的，本实用新型所提供的气体反应连续腔包含有至少三腔室、至少四隔离装置以及一位于该数个腔室及该数个隔离装置内的输送装置，各个该腔室位于二该隔离装置之间，藉以使该数个腔室能呈气密状态。该输送装置具有一前端、一后端以及能供该隔离装置穿过的至少四空隙，该输送装置用以设置一受反应物，并带动该受反应物朝向该前端移动进而通过该数个腔室。其中，该数个腔室包含有依序排列的一预热腔室、一反应腔室及一冷却腔室，该预热腔室、该反应腔室及该冷却腔室分别设置一位于该输送装置上方的上加热器，用以朝向该受反应物的一顶面作用而调整该受反应物的温度，该反应腔室及该冷却腔室分别具有一反应气体输入口。

藉此，该受反应物依序在预热腔室、反应腔室及冷却腔室分别进行加热、气体反应及冷却的步骤，而且，完成气体反应的受反应物通过反应腔室及冷却腔室的过程中，该反应腔室及该冷却腔室内的反应气体可避免受反应物上仍为气态反应材料过度散逸。如此一来，该气体反应连续腔不但可使受反应物的气体反应效果良好；而且，预热腔室、反应腔室及冷却腔室内的加热器可分别维持在符合其功能的温度，因而可较快速地将受反应物调节至各阶段所需的温度；再者，预热腔室、反应腔室及冷却腔室可同时分别供不同的受反应物进行不同的步骤，意即，不需等到一受反应物完成所有步骤才让另一受反应物开始进行该数个步骤，因此，本实用新型所提供的气体反应连续腔具有较习用者更高的效率。

有关本实用新型所提供的气体反应连续腔的详细构造、特点、组装或使用方式，将于后续的实施方式详细说明中予以描述。然而，在本实用新型领域中具有通常知识者应能了解，该数个详细说明以及实施本实用新型所列举的特定实施例，仅系用于说明本实用新型，并非用以限制本实用新型的专利申请范围。

附图说明

图1为本实用新型第一较佳实施例所提供的气体反应连续腔的示意图，并显示一受反应物位于该气体反应连续腔的一预热腔室，且该气体反应连续腔的一遮盖装置的盖体是位于一顶高位置；

图2为图1的局部放大图，显示该遮盖装置的盖体位于一遮盖位置，且该受反应物受该盖体遮盖；

图3至图6类同于图1，分别显示使用该气体反应连续腔的气体反应方法的不同步骤；以及

7图7为本实用新型第二较佳实施例所提供的气体反应连续腔的示意图。

具体实施方式

请先参阅图1，本实用新型第一较佳实施例所提供的气体反应连续腔10包含有一输送装置12，以及依序连接的一第一隔离装置14、一预热腔室16、一第二隔离装置18、一反应腔室20、一第三隔离装置22、一冷却腔室24及一第四隔离装置26，且该输送装置12位于该数个腔室16、20、24及该数个隔离装置14、18、22、26内。

该输送装置12具有一前端122及一后端124，该输送装置12用以设置一受反应物28，且主要是用以带动该受反应物28朝向该前端122移动进而通过该数个腔室16、20、24；然而，该输送装置12亦可（但不限于）具有能带动该受反应物28朝向该后端122移动的功能。