[实用新型]一种LED新型背光源导光板有效

专利信息
申请号: 201320358901.9 申请日: 2013-06-21
公开(公告)号: CN203336477U 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 何建明 申请(专利权)人: 东莞市现代精工实业有限公司
主分类号: F21V8/00 分类号: F21V8/00;F21Y101/02
代理公司: 东莞市冠诚知识产权代理有限公司 44272 代理人: 张作林
地址: 523000 广东省东莞市凤*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 led 新型 背光源 导光板
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及液晶显示屏背光源,特别涉及一种LED新型背光源导光板。 

背景技术

近年来,平面显示屏已成为显示器主流。目前平面显示屏主要有以下两种:其一是有机发光二极管屏幕(OLED,Organic Light-emitting Display);其二是薄膜场效应晶体管屏幕(TFT,Thin Film Transistor)。由于OLED显示屏成本较高,未能得到广泛应用;TFT显示屏,特别是液晶显示屏,凭借着价格优势及技术较为成熟,成为现行主流显示屏。然而,液晶显示屏本身不具备发光功能,需要配备一种背光模组供其照明。 

现有的背光源导光板通常采用冷阴极灯管(CCFL, Cold Cathode Fluorescent Lamp)及发光二极管(LED, Light Emitting Diode)两类作为光源。CCFL出现时间较早,技术较LED成熟,目前仍然是背光显示光源的主要选择;LED背光源导光板虽起步较晚,但相比于CCFL具有众多优点,比如使用寿命长、低功耗、无污染、轻量化等,随着光电技术的发展,LED背光源将会有长足发展。然而,现有的传统工艺在加工导光板时产品会有气纹、暗影现象,造成不良高达30%。整体出射光速辉底较低、均匀性较差,影响显示屏幕的显示效果。 

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足,提供一种整体出射光束辉度高、均匀性优良的LED新型背光源导光板。 

为解决上述技术问题,本实用新型的技术方案是:一种LED新型背光源导光板,包括导光板本体和受光面,所述受光面是导光板本体的一个面,所述的受光面向内凹陷形成V沟,所述的V沟与导光板本体一起注塑成型而成。 

作为对上述技术方案的进一步阐述: 

所述的V沟的形状为“V”字形状,包括顶点和内壁。

所述导光板本体的受光面“V”沟均匀分布,V沟两内壁的度为30-150度。 

所述的V沟顶点到受光面的垂直距离为0.003mm~0.005mm,该V沟两内壁在受光面上的宽度为0.002mm~0.015mm,相邻V沟顶点连成的两平行线之间的垂直距离为0.2~0.4mm。该V沟在导光板本体的受光面平行并均匀分布。 

本实用新型的有益效果是:本实用新型在导光板本体的受光面具有与导光板本体一起注塑成型而成的V沟,该“V”沟在导光板本体的受光面均匀分布,  减少气纹有暗影现象,大大提高产品良品率(改善后不良在5%左右),而传统工艺在加工导光板时产品会有气纹、暗影现象,造成不良高达30%。 

附图说明

图1为本实用新型整体结构立体图。 

图2为本实用新型V沟分布示意图。 

图3为图1中V沟侧面放大示意图。 

图中: 1.导光板;2.“V”沟;3.受光面。 

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。 

如图1所示,一种新型背光源导光板,包括导光板本体1及受光面3,所述导光板受光面3向内凹陷成V沟2。参照图2、图3,所述导光板本体1的底面具有与导光板本体1一起注塑成型而成的“V”沟,所述的V沟其顶点(4)至受光面(3)的垂直距离为0.003mm~0.005mm,该V沟两内壁(5)在受光面上的宽度为0.002mm~0.015mm,相邻V沟顶点(4)连成的两平行线之间的垂直距离为0.2~0.4mm。 

V沟其两内壁间夹角的角度为30度-150度。 

V沟其两内壁夹角的优选角度为60-120度。 

该“V”沟在导光板本体的受光面均匀分布,能够大大减少气纹有暗影现象的发生。 

如图3所示,所述 “V”沟包括顶点和内壁,V沟其两内壁间夹角的角度为30度-150度。V沟其两内壁夹角的优选角度为60-120度。该V沟可发散LED光线,最大限度地将点光源转换成面光源,从而减小LED光学暗区,提高光束利用率。 

在上述技术方案中,所述导光板本体1的材料为PC(Polycarbonate,聚碳酸酯)材料或PMMA(PolymethylMethacrylate,聚甲基丙烯酸甲酯)材料。 

新工艺在模具表面(发光面)采用激光加工V沟,可使产品在成型时贴在后模上, 减少气纹有暗影现象,大大提高产品良品率(改善后不良在5%左右)。 

以上所述,仅是本实用新型较佳实施方式,凡是依据本实用新型的技术方案对以上的实施方式所作的任何细微修改、等同变化与修饰,均属于本实用新型技术方案的范围内。 

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