[实用新型]一种单片机控制双路光接收高隔离度切换电路

权利要求书

1.一种单片机控制双路光接收高隔离度切换电路，其特征在于：包括接收输入的光信号的第一光接收PIN管和第二光接收PIN管，所述第一光接收PIN管的输出端与第一低噪声放大管的输入端连接，所述第二光接收PIN管的输出端与第二低噪声放大管的输入端连接，所述第一低噪声放大管的输出端与输出射频信号的射频切换芯片的通道一输入口连接，所述第二低噪声放大管的输出端与输出射频信号的射频切换芯片的通道二输入口连接，所述射频切换芯片与控制通道一和通道二之间切换的单片机芯片连接，所述第一低噪声放大管和第二低噪声放大管均与通过导通不同三极管来分别给其供电的单片机芯片连接。

2.根据权利要求1所述的一种单片机控制双路光接收高隔离度切换电路，其特征在于：所述第一光接收PIN管D1的正极接电容C1、电阻R1，电容C1、电阻R1的另一端接地，所述第一光接收PIN管D1的负极接电容C2、电感L1，电感L1的另一端接电阻R2，电阻R2的另一端接直流电源+5V，电容C2的另一端接电容C3、第一低噪声放大管U1的输入端，电容C3的另一端接电阻R3，所述第一低噪声放大管U1的接地脚接地，所述第一低噪声放大管U1的输出端接电阻R3的另一端、电感L2、电容C5，电感L2的另一端接三极管V2的发射极、电容C4，电容C4的另一端接地，电容C5的另一端接射频切换芯片U3的第5脚；所述第二光接收PIN管D2的正极接电容C7、电阻R4，电容C7、电阻R4的另一端接地，所述第二光接收PIN管D2的负极接电感L4、电容C8，电感L4的另一端接电阻R5，电阻R5的另一端接直流电源+5V，电容C8的另一端接电容C9、第二低噪声放大管U2的输入端，电容C9的另一端接电阻R6，所述第二低噪声放大管U2的接地脚接地，所述第二低噪声放大管U2的输出端接电阻R6的另一端、电感L3、电容C10，电感L3的另一端接三极管V1的发射极、电容C11，电容C11的另一端接地，电容C10的另一端接射频切换芯片U3的第8脚；所述单片机芯片U4第3脚接电容C14、晶振G1，电容C14的另一端接地，晶振G1的另一端接电容C15、单片机芯片U4第4脚，电容C15的另一端接地，所述单片机芯片U4第12脚接地，单片机芯片U4第26脚接电阻R8、三极管V1的基极、电阻R10，电阻R8的另一端接直流电压+5V，三极管V1的集电极接直流电压+5V，电阻R10的另一端三极管V3的基极，三极管V3的发射极接地，三极管V3的集电极接电阻R9、三极管V2的基极，电阻R9的另一端接直流电压+5V，三极管V2的集电极接直流电压+5V，所述单片机芯片U4第27脚接射频切换芯片U3第2脚，所述单片机芯片U4第28脚接直流电压+5V，所述单片机芯片U4第31脚接电阻R7、电解电容C12负极，电阻R7的另一端接电容C13、接地，电解电容C12正极接直流电压+5V、电容C13的另一端；所述射频切换芯片U3第1脚接直流电压+3V，射频切换芯片U3第3、6、7脚接地，射频切换芯片U3第4脚接电容C6，电容C6的另一端输出射频信号。