[实用新型]近场通信电路和近场通信装置

说明书

相关申请的交叉参考 

本申请要求于2012年6月14日提交的美国非临时申请第13/523,445号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。 

技术领域

本实用新型涉及天线，并且更具体地涉及NFC收发器装置。 

背景技术

在许多常规通信装置中，经常包括分离电路从而提供天线驱动器功能性和调节器/钳位电路（clamp）功能性。使用用于天线驱动器功能性和调节器/钳位电路功能性的分离线路的实施可以需要若干个大型晶体管，这增加了制造成本和占位面积（real estate）。 

例如，许多常规天线驱动器电路在每个天线端口上结合两个大型输入/输出晶体管。用于近场通信（NFC）装置的常规天线驱动器可以包括用于将电流下拉到V_SS（例如负电源电压）的N型金属氧化物半导体（NMOS）装置，以及用于从V_DD（例如正电源电压）提供电流的P型金属氧化物半导体（PMOS）装置。这些NMOS和PMOS装置是用来为天线驱动器电路实施逻辑的专用金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。 

用于天线的调节器和钳位控制的电路还可以包括NMOS装置和/或PMOS装置。因此，向装置添加调节器和/或钳位控制电路可以进一步增加该装置需要的制造成本和占位面积（例如电路板面积）。这些专用晶体管可非常昂贵并且还可在收发器装置集成电路（IC）上需要巨大的占位面积。 

实用新型内容

根据本实用新型的一实施方式，提供了一种近场通信电路，包含：天线端口，耦接至第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管；前级驱动器，被配置为耦接至该第一晶体管、该第二晶体管以及该第三晶体管；电压调 节器，被配置为耦接至该第二晶体管；以及钳位控制器，被配置为耦接至该第三晶体管。 

此外，该第一晶体管为P型金属氧化物半导体（PMOS）晶体管，并且其中，该第二晶体管和该第三晶体管为N型金属氧化物半导体（NMOS）晶体管。 

此外，该电路还包含：第一开关，被配置为将该前级驱动器耦接至该第一晶体管；第二开关，被配置为将该前级驱动器耦接至该第二晶体管；以及第三开关，被配置为将该前级驱动器耦接至该第三晶体管。 

此外，该电路还包含：第四开关，被配置为将该电压调节器耦接至该第二晶体管；第五开关，被配置为将该钳位控制器耦接至该第三晶体管。 

此外，在第一模式期间，该第一开关、该第二开关和该第三开关被配置为闭合，同时该第四开关和该第五开关开启；以及在第二模式期间，该第一开关、该第二开关和该第三开关被配置为开启，同时该第四开关和该第五开关闭合。 

此外，该天线端口为近场通信（NFC）装置的天线端口，其中，该天线端口被配置为在该第一模式期间支持该近场通信装置的读取器模式，并且其中，该天线端口被配置为在该第二模式期间支持该近场通信装置的目标模式。 

此外，该电路还包含耦接至该天线端口和该电压调节器的二极管，其中，该电压调节器被配置为：从该二极管接收反馈信号；将该反馈信号与基准信号比较；以及响应于在该反馈信号和该基准信号之间的该比较，调整提供给该第二晶体管的电压。 

此外，该电路还包括：第二天线端口，耦接至第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管，其中：该前级驱动器进一步被配置为耦接至该第四晶体管、该第五晶体管和该第六晶体管，该电压调节器进一步被配置为耦接至该第五晶体管，以及该钳位控制器进一步被配置为耦接至该第六晶体管。 

此外，该钳位控制器被配置为：确定是该天线端口的第一电压还是该第二天线端口的第二电压较低；如果该第一电压较低，则在该天线端口创 建短路电路；以及如果该第二电压较低，则在该第二天线端口创建短路电路。 

根据本实用新型的又一实施方式，提供了一种近场通信（NFC）装置，包括：第一天线端口，耦接至第一多个晶体管；第二天线端口，耦接至第二多个晶体管；前级驱动器，被配置为耦接至该第一多个晶体管和该第二多个晶体管；电压调节器，被配置为耦接至该第一天线端口和该第二天线端口；以及钳位控制器，被配置为耦接至该第一天线端口和该第二天线端口。 

此外，该近场通信装置被配置为接收指示该近场通信装置将该第一天线端口置于读取器模式或目标模式的信息。 

此外，该近场通信装置被配置为响应于接收到将该第一天线端口置于该读取器模式的指令，将该前级驱动器耦接至该第一多个晶体管，并将该电压调节器和该钳位控制器从该第一天线端口解耦。