[实用新型]一种准单级高功率因数恒流电路及装置

权利要求书

1.一种准单级高功率因数恒流电路，其特征在于，包括：

整流桥，对输入的交流电源信号整流；

输入电容，其第一端连接所述整流桥的正输出端，其第二端连接所述整流桥的负输出端；

第一电感，其第一端连接所述输入电容的第一端；

母线电容，其第一端连接所述第一电感的第二端；

第一二极管，其阳极连接所述母线电容的第二端，其阴极连接所述整流桥的负输出端；

开关管，其第一功率端连接所述第一电感的第二端，其控制端接收外部的驱动信号；

第二二极管，其阳极连接所述开关管的第二功率端，其阴极连接所述整流桥的负输出端；

采样电阻，其第一端连接所述开关管的第二功率端；

第二电感，其第一端与所述采样电阻的第二端相连；

输出二极管，其阴极与所述开关管的第二功率端相连，其阳极与所述母线电容的第二端相连；

输出电容，其第一端与所述第二电感的第二端相连，其第二端与所述输出二极管的阳极相连，所述输出电容配置为与负载并联。

2.根据权利要求1所述的准单级高功率因数恒流电路，其特征在于，所述开关管为功率MOSFET晶体管，所述第一功率端为所述MOSFET晶体管的漏极，所述第二功率端为所述MOSFET晶体管的源极，所述控制端为所述MOSFET晶体管的栅极。

3.根据权利要求1所述的准单级高功率因数恒流电路，其特征在于，所述开关管为功率三极管，所述第一功率端为所述功率三极管的集电极，所述第二功率端为所述功率三极管的发射极，所述控制端为所述功率三极管的基极。

4.根据权利要求1所述的准单级高功率因数恒流电路，其特征在于，所述开关管为源极驱动组合开关器件，包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，其中，所述第一功率端为所述第一MOS晶体管的漏极，所述第二功率端为所述第二MOS晶体管的源极，所述控制端为所述第二MOS晶体管的栅极，所述第一MOS晶体管的源极连接所述第二MOS晶体管的漏极，所述第一MOS晶体管的栅极接收预设的直流电压。

5.一种准单级高功率因数恒流装置，其特征在于，包括：

权利要求1至4中任一项所述的准单级高功率因数恒流电路；

控制电路，其电流采样端采样获得所述采样电阻的电流信息，所述控制电路根据所述采样电阻的电流信息和所述第二电感的电流过零信息产生驱动信号，所述驱动信号经由输出端传输至所述开关管的控制端。

6.根据权利要求5所述的准单级高功率因数恒流装置，其特征在于，所述控制电路的电流采样端连接所述采样电阻的第一端，所述采样电阻的第二端接地；或者所述控制电路的电流采样端连接所述采样电阻的第二端，所述采样电阻的第一端接地。

7.根据权利要求5所述的准单级高功率因数恒流装置，其特征在于，所述控制电路通过过零检测端获取所述第二电感的电流过零信息，所述过零检测端经由电阻分压网络与所述第二电感的第二端相连，其中，所述电阻分压网络的输入端连接所述第二电感的第二端，所述电阻分压网络的输出端连接所述控制电路的过零检测端。

8.根据权利要求5所述的准单级高功率因数恒流装置，其特征在于，所述控制电路通过过零检测端获取所述第二电感的电流过零信息，所述过零检测端连接辅助绕组的第一端，所述辅助绕组的第二端接地，所述辅助绕组与所述第二电感耦合。

9.根据权利要求5所述的准单级高功率因数恒流装置，其特征在于，所述控制电路用于输出负载恒流控制。