[实用新型]LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置

说明书

技术领域

本实用新型是应用于无线通信技术中的射频LDMOS功率放大器的温度效应抑制装置，特别涉及WCDMA,CDMA制式的通信系统中对采用射频LDMOS器件的大功率功率放大器的输出功率稳定有较大作用的LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置。

背景技术

LDMOS管是专为射频功放放大器设计的改进型N沟道MOSFET，常工作在AB类，在工作点附近具有正的温度特性，即在一定的栅压下，当工作温度升高时，其静态电流I_DQ升高；当工作温度降低时，I_DQ降低。一般地，当LDMOS管热沉温度从20℃升高到100℃时，其静态工作电流I_DQ变化140％；当温度降低至0℃时，变化量也有30％。I_DQ变化会影响系统的增益、效率和线性等指标，其中又以线性影响最大。因此，在工作中维持功率管IDQ稳定，是功放板设计的关键点之一。

发明内容

本实用新型要解决上述现有技术的缺点，提供一种具有温度补偿机制、不同温度下维持其静态工作电流的稳定，达到恒定功率输出的LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置。

本实用新型解决其技术问题采用的技术方案：这种LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置，主要包括微控制器MCU、电源模块、限流电阻R0、三极管T1、T2、分压电阻R、NTC电阻R3和LDMOS功率放大器，电源模块通过限流电阻R0和三极管T1、T2，与分压电阻R和NTC电阻R3相连，再一起与LDMOS功率放大器的管脚1连通，LDMOS功率放大器的管脚2接地，管脚3为射频输出端，电源模块与微控制器MCU连通。

所述限流电阻R0和三极管T1、T2的基级之间连接有分压电阻R1、R2。

所述三极管T1、T2的发射极接地。

所述LDMOS功率放大器的管脚1为射频信号输入端，射频信号通过电容C从LDMOS功率放大器的管脚1输入。

本实用新型有益的效果是：本实用新型结构通过结合三极管的温度特性和NTC（Negative Temperature Coefficient负温度系数）热敏电阻，对LDMOS管子的温度效应实现较好的抑制作用，针对现有LDMOS管的特性，提供一种具有温度补偿机制的，可使大功率射频LDMOS放大器在不同温度下维持其静态工作电流的稳定，达到恒定功率输出的目的。

附图说明

图1是本实用新型电路示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明：

如图所示，这种LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置，主要包括微控制器MCU、电源模块、限流电阻R0、三极管T1、T2、分压电阻R、NTC电阻R3和LDMOS功率放大器，电源模块通过限流电阻R0和三极管T1、T2，与分压电阻R和NTC电阻R3相连，再一起与LDMOS功率放大器的管脚1（栅极）连通，限流电阻R0和三极管T1、T2的基级之间连接有分压电阻R1、R2，三极管T1、T2的发射极接地。LDMOS功率放大器的管脚2（源极）接地，管脚3（漏极）为射频输出端，电源模块与微控制器MCU连通，由微控制器MCU来控制电源模块输出一个合适的电压（按照LDMOS功率放大器的输出功率来定），LDMOS功率放大器的管脚1为射频信号输入端，射频信号通过电容C从LDMOS功率放大器的管脚1输入。LDMOS功率放大器的正温度特性被NTC电阻R3的负温度特性所抵消，最终实现了功放管的额输出功率稳定。

电路通过三极管T1来牵制三极管T2的集电极电流，温度升高，使三极管T2的UBE电压变小，三极管T2的集电极电流增加，三极管T2集电极对地的电压升高，这时，同样由于温度升高使得三极管T1的UBE电压也变小，这样就削弱了三极管T2基极电流的增大，从而抑制了三极管T2集电极电流的增加，使得三极管T2集电极对地电压随温度的升高保持一定的稳定。当温度降低时三极管T1牵制三极管T2的效果相同，从而不管是温度升高还是降低三极管T2集电极对地的电压都保持在一定的恒定值下。而三极管T2集电极的电压在保持恒定的同时，NTC电阻R3与分压电阻R1、R2组成的LDMOS功率放大器栅极供电电压却在有序变化，当温度升高时NTC电阻R3的阻值会变小，从而使得整体上加到栅极的电压会变小，抵制了由于温度升高而使LDMOS功率放大器漏极的电流增大的因素。当温度降低时原理相同，最终使LDMOS功率放大器的栅压也就实现了相对的“负温度特性”，最终保证了LDMOS功率放大器的输出功率稳定。