[实用新型]一种聚合物压电气体传感器阵列有效

专利信息
申请号: 201320313646.6 申请日: 2013-05-31
公开(公告)号: CN203414377U 公开(公告)日: 2014-01-29
发明(设计)人: 谷宇 申请(专利权)人: 谷宇
主分类号: G01N5/02 分类号: G01N5/02
代理公司: 北京高文律师事务所 11359 代理人: 徐江华
地址: 100101 北京市朝阳*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 聚合物 压电 气体 传感器 阵列
【权利要求书】:

1.一种聚合物压电气体传感器阵列,其特征在于,由8个镀有不同聚合物薄膜的气体传感器组成,所述气体传感器分别与频率计通过导线连接。 

2.根据权利要求1所述的聚合物压电气体传感器阵列,其特征在于,所述气体传感器包括石英基片,所述导线缠绕在石英基片四周,与频率计连接,所述石英基片上下表面镀有聚合物薄膜。 

3.根据权利要求1所述的聚合物压电气体传感器阵列,其特征在于,所述8种聚合物薄膜分别为聚氯乙烯、聚酰胺、聚乙烯聚四氟乙烯、聚三甲基硅-1-丙炔、邻苯二甲酸二壬酯、聚乙烯甘醇、四氢噻吩砜、硅胶材料。 

4.根据权利要求2所述的聚合物压电气体传感器阵列,其特征在于,所述石英基片为无线电技术AT切割成制成圆形的压电石英基片。 

5.根据权利要求2所述的聚合物压电气体传感器阵列,其特征在于,所述聚合物薄膜厚度为0.01-100μm。 

6.根据权利要求2所述的聚合物压电气体传感器阵列,其特征在于,所述聚合物薄膜是通过电子枪将500-2000电子伏能量的电子束作用于聚合物,利用真空电子束色散镀膜技术将聚合物蒸镀在所述石英基片的上下表面。 

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