[实用新型]一种微带基片式隔离器有效
申请号: | 201320296806.0 | 申请日: | 2013-05-28 |
公开(公告)号: | CN203242730U | 公开(公告)日: | 2013-10-16 |
发明(设计)人: | 刘旷希;唐正龙 | 申请(专利权)人: | 南京广顺电子技术研究所 |
主分类号: | H01P1/36 | 分类号: | H01P1/36 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210017 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微带 基片式 隔离器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种隔离器,尤其涉及一种微带基片式隔离器,属于微波通信领域。
背景技术
随着微波通讯的迅速发展,微波电子设备的应用日趋广泛,整机性能也有很大的提高,对其中的铁氧体隔离器指标也提出了更高的要求,嵌入式隔离器已经基本不能满足许多系统贴片的需求,而现有的贴片式隔离器由于工作频率范围较低,不能满足高频范围的需要。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种微带基片式隔离器,能够满足较高频率范围的工作要求,并且结构简单,适用于表面贴装和微电路集成。
本实用新型为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种微带基片式隔离器,包括铁氧体基片和微带电路,所述微带电路设置在铁氧体基片的上表面,其中,所述微带电路与射频电阻芯片连接,所述微带电路上设置有陶瓷片和永磁体,所述铁氧体基片和射频电阻芯片固定在底座上。
上述的微带基片式隔离器,其中,所述微带电路的圆盘中心轴线、陶瓷片的圆盘中心轴线和永磁体的中心轴线相重叠。
上述的微带基片式隔离器,其中,所述射频电阻芯片为外接式射频电阻芯片,所述外接式射频电阻芯片通过焊锡膏与微带电路的一个引脚焊接相连。
上述的微带基片式隔离器,其中,所述微带电路通过光刻电镀在所述铁氧体基片的上表面。
上述的微带基片式隔离器,其中,所述陶瓷片的两面分别通过环氧树脂层和微带电路、永磁体胶合在一起。
上述的微带基片式隔离器,其中,所述永磁体为钐钴永磁体。
上述的微带基片式隔离器,其中,所述底座为铁镍合金底座。
本实用新型对比现有技术有如下的有益效果:本实用新型提供的微带基片式隔离器,通过永磁体纵向磁化铁氧体基片,使得铁氧体基片边缘磁化均匀,从而满足较高频率范围的工作要求,并且结构简单,适用于表面贴装和微电路集成。
附图说明
图1为本实用新型微带基片式隔离器分解结构示意图;
图2为本实用新型微带基片式隔离器组装结构示意图。
图中:
1底座 2射频电阻芯片 3微带电路
4铁氧体基片 5陶瓷片 6永磁体
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的描述。
图1为本实用新型微带基片式隔离器分解结构示意图;图2为本实用新型微带基片式隔离器组装结构示意图。
请参见图1和图2,本实用新型提供的微带基片式隔离器包括铁氧体基片4和微带电路3,所述微带电路3设置在铁氧体基片4的上表面,其中,所述微带电路3与射频电阻芯片2连接,所述微带电路3上设置有陶瓷片5和永磁体6,所述铁氧体基片4和射频电阻芯片2固定在底座1上。
本实用新型提供的微带基片式隔离器,所述铁氧体基片4居里温度高,温度稳定性好。永磁体6纵向磁化铁氧体基片4,铁氧体基片边缘磁化均匀。为了进一步保证铁氧体基片边缘磁化均匀,所述微带电路3的圆盘中心轴线、陶瓷片5的圆盘中心轴线和永磁体6的中心轴线最好相重叠。同时,所述铁氧体基片4上表面可采取抛光处理,利用化学方法去油污以及杂质粒子,物理方法对表面进行活化、去除吸附,保证电路膜层的附着力。
本实用新型提供的微带基片式隔离器,永磁体6优选为钐钴永磁体;所述底座1由磁性金属材料加工制成,优选为铁或铁的合金,比如铁镍合金底座。本实用新型提供的微带基片式隔离器主要部件的具体连接如下:所述微带电路3通过光刻技术电镀在所述铁氧体基片3上表面,适用于表面贴装技术,并通过金丝键合技术与微波电路相连接。射频电阻芯片2用来吸收反射微波信号,所述射频电阻芯片2通过焊锡膏焊接在底座1上,射频电阻芯片2与微带电路的3一个引脚焊接,射频电阻芯片2采用外接形式能够更好的吸收反射微波信号。所述陶瓷片5通过环氧树脂胶合在微带电路3上,胶贴时最好使得陶瓷片5的中心轴线与微带电路3的圆盘的中心轴线相重叠,所述永磁体6通过环氧树脂胶合在陶瓷片5上,所述永磁体6的中心轴线与陶瓷片5的圆盘的中心轴线最好相重叠,使得永磁体6能够更加均匀地纵向磁化铁氧体基片4;所述铁氧体基片4通过焊锡膏焊接在铁镍合金底座1上,接地良好,并且由于底座1与铁氧体基片4的热膨胀系数相当,能够在焊接时保护铁氧体基片4,降低了由于焊接而导致铁氧体基片开裂的风险,提高了产品的可靠性。
本实用新型提供的微带基片式隔离器的主要技术指标如下表:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京广顺电子技术研究所,未经南京广顺电子技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320296806.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。