[实用新型]一种适用于高电压环境的雷电保护器有效
申请号: | 201320261723.8 | 申请日: | 2013-05-15 |
公开(公告)号: | CN203233174U | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | 黄友华 | 申请(专利权)人: | 成都市宏山科技有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适用于 电压 环境 雷电 保护 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种雷电保护器,更具体的说是涉及一种适用于高电压环境的雷电保护器。
背景技术
在夏季,雷雨多发季节,雷电经常发生。在各个方面的雷电防护电路应有尽有,现在的高压环境的防雷措施一般采用搭建防雷装置的形式。其不仅结构庞大复杂,而且搭建时不仅需要大量的人力物力。
实用新型内容
本实用新型提供一种适用于高电压环境的雷电保护器,其采用电路的结构对雷电进行泄放,且其电路结构简单,成本低廉。
为解决上述的技术问题,本实用新型采用以下技术方案:
一种适用于高电压环境的雷电保护器,它包括保护器外壳,所述的保护器外壳上设置有IO端口和内部电路接口,所述的保护器外壳内固定有雷电防护电路,所述的雷电保护电路连接在IO端口和内部电路接口之间。
更进一步的技术方案是:
所述的雷电保护电路包括PNP型三极管T1、PNP型三极管T2、NPN型三极管T3、NPN型三极管T4和稳压二极管D1,所述的PNP型三极管T1的基极与其的发射极相连且同时连接在VDD上,所述的PNP型三极管T2的发射极连接在PNP型三极管T1的集电极上,所述的PNP型三极管T2的集电极连接在NPN型三极管T3的集电极上,所述的NPN型三极管T4的发射极连接在NPN型三极管T3的发射极上,所述的NPN型三极管T4的基极与其的发射极相连且同时接地,所述的稳压二极管D1的正极连接在NPN型三极管T4的发射极上且其的负极与VDD相连。
所述的雷电保护电路还包括电容C1和电容C2,所述的电容C1的两端分别连接在PNP型三极管T2的基极和集电极上,所述的电容C2的两端连接在NPN型三极管T3的基极和集电极上。
所述的雷电保护电路还包括一电阻R1,所述的电阻R1的一端连接在IO端口上,另一端连接在PNP型三极管T2的集电极和NPN型三极管T3的集电极之间且该端同时连接在内部电路接口上。
在本实用新型中,利用电路的形式对雷电进行泄放,由于PNP型三极管T1和PNP型三极管T2串联,NPN型三极管T3和NPN型三极管T4串联,使其能够抗高压。稳压二极管D1用于对PNP型三极管T1、PNP型三极管T2、NPN型三极管T3、NPN型三极管T4进行保护,避免高电压对三极管的破坏。电阻R1其限流的作用,用于包括保护内部电路;电容C1和电容C2用于防止电源微扰信号的干扰。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型适用于高电压的环境使用,且其的电路结构简单,便于制作,成本低廉。
2、本实用新型的三极管T1、PNP型三极管T2、NPN型三极管T3、NPN型三极管T4和稳压二极管D1构成多条雷电泄放通路,使其能有效的对雷电进行泄放。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。
图1为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。
[实施例]
如图1所示的一种适用于高电压环境的雷电保护器,它包括保护器外壳,所述的保护器外壳上设置有IO端口和内部电路接口,所述的保护器外壳内固定有雷电防护电路,所述的雷电保护电路连接在IO端口和内部电路接口之间。
所述的雷电保护电路包括PNP型三极管T1、PNP型三极管T2、NPN型三极管T3、NPN型三极管T4和稳压二极管D1,所述的PNP型三极管T1的基极与其的发射极相连且同时连接在VDD上,所述的PNP型三极管T2的发射极连接在PNP型三极管T1的集电极上,所述的PNP型三极管T2的集电极连接在NPN型三极管T3的集电极上,所述的NPN型三极管T4的发射极连接在NPN型三极管T3的发射极上,所述的NPN型三极管T4的基极与其的发射极相连且同时接地,所述的稳压二极管D1的正极连接在NPN型三极管T4的发射极上且其的负极与VDD相连。
所述的雷电保护电路还包括电容C1和电容C2,所述的电容C1的两端分别连接在PNP型三极管T2的基极和集电极上,所述的电容C2的两端连接在NPN型三极管T3的基极和集电极上。
所述的雷电保护电路还包括一电阻R1,所述的电阻R1的一端连接在IO端口上,另一端连接在PNP型三极管T2的集电极和NPN型三极管T3的集电极之间且该端同时连接在内部电路接口上。
如上所述即为本实用新型的实施例。本实用新型不局限于上述实施方式,任何人应该得知在本实用新型的启示下做出的结构变化,凡是与本实用新型具有相同或相近的技术方案,均落入本实用新型的保护范围之内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都市宏山科技有限公司,未经成都市宏山科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320261723.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。