[实用新型]一种镍氢电池过充电保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电学领域，特别涉及一种镍氢电池过充电保护电路，本实用新型的镍氢电池过充电保护电路可以对多串镍氢电池进行过充电保护，该镍氢电池保护电路简单、控制精度高、成本低且电路自耗非常小。

背景技术

镍氢电池作为近年来迅速发展起来的一种高能绿色充电电池，凭借能量密度高、可快速充放电、循环寿命长以及无污染等优点在各领域得到广泛应用。

按照煤矿标准的要求及一些特殊行业对多串镍氢电池过充电的要求如下：镍氢电池串联回路每节电池过充电电压不得高于1.45V。

在实际使用中，镍氢电池从几串到几十串不等，而每一串的参考电压不同，控制难度很大。

到目前为止没有针对镍氢电池多串进行保护的专用芯片。现有技术中对多串镍氢电池过充电保护一般采用比较器、运放、加基准、控制。这样的话体积大、控制精度低、成本高特别是电路本身自耗电偏大。

TL431是一种并联稳压集成电路，是具有良好热稳定性能的三端可调分流基准源，其内基准电压为2.5V。

现有技术中，锂电池保护电路芯片种类较多，其中S8261-G4E锂电池保护芯片为常用锂电池保护芯片。S8261-G4E锂电池保护芯片上设有1、2、3、4、5、6这六个引脚，其中1为DO引脚，作为放电控制端子；2为VM引脚，作为过流检测端子；3为CO引脚，作为充电控制端子；4为DP引脚，作为延迟时间检测端子；5为VDD引脚，作为正电源输入端子；6为VSS引脚，作为负电源输入端子。S8261-G4E锂电池保护芯片的VDD引脚端电压为3.95V时启动过充电保护。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种镍氢电池过充电保护电路，用以解决现有技术中对多串镍氢电池过充电保护一般采用比较器、运放、加基准、控制，该控制结构体积大、控制精度低、成本高、电路本身自耗电偏大的问题。

为解决上述问题，本实用新型的技术方案为：

一种单节镍氢电池过充电保护电路，包括主电路和外部控制电路，所述主电路包括镍氢电池、稳压二极管TL431及锂电池保护芯片S8261，镍氢电池的正极依次通过稳压二极管TL431、第一电阻R1与锂电池保护芯片S8261的引脚5相接；

所述镍氢电池的正极与所述稳压二极管TL431的阳极A相接，所述稳压二极管TL431的阴极K与所述第一电阻R1相接；所述镍氢电池的负极直接与所述锂电池保护芯片S8261的引脚6相接；

所述锂电池保护芯片S8261的引脚2通过第二电阻R2与所述镍氢电池的负极相接；所述锂电池保护芯片S8261的引脚3通过外部控制电路控制所述镍氢电池的充电器的通断。

优选的，所述外部控制电路包括第一控制电路和第二控制电路，所述第一控制电路包括P型MOS管PQ、二极管D1；所述第二控制电路包括N型MOS管NQ、光电耦合器OC，具体的，

所述第一控制电路中所述P型MOS管PQ的源极S与所述稳压二极管TL431的参考极R相接；所述P型MOS管PQ的栅极G与所述锂电池保护芯片S8261的引脚3相接；所述P型MOS管PQ的源极S还并接有为所述N型MOS管NQ提供导通电压的直流电源Vcc1，所述P型MOS管PQ的源极S与直流电源Vcc1之间还设有第四电阻R4；所述P型MOS管PQ的漏极D依次通过所述二极管D1、第三电阻R3与所述第二控制电路中的所述N型MOS管NQ栅极G相接；

所述第二控制电路中，所述N型MOS管NQ的源极S接地，所述N型MOS管的漏极D通过第五电阻R5与所述光电耦合器OC的基极相接，所述光电耦合器OC控制所述镍氢电池充电器的通断。

优选的，所述直流电源Vcc1的输出电压为24V。

作为优选，所述光电耦合器OC的集电极通过第六电阻R6分别与直流电源Vcc2及CON3接线接口J2的端口1连接，所述光电耦合器OC的发射极通过二极管D2与CON3接线接口J2的端口2连接。

一种由所述的单节镍氢电池过充保护电路组合成的组合镍氢电池过充电保护电路，包括两个以上镍氢电池组成的镍氢电池组、与各子电池一一对应的所述主电路、与各子电池一一对应的所述第一控制电路以及所述镍氢电池组共用的所述第二控制电路；

各子电池所对应的第一控制电路中各所述P型MOS管的漏极D依次通过二极管、电阻与所述第二控制电路中的所述N型MOS管NQ栅极G相接。