[实用新型]双全桥注入锁相功率合成金卤灯

说明书

技术领域

本实用新型涉及电光源照明技术领域，具体是一种双全桥注入锁相功率合成金卤灯。

背景技术

现有技术电子镇流器通常用LC或RC振荡器作为金卤灯电光源，产生的振荡频率受温度变化稳定性差影响功率不够稳定，导致光强下降，虽然这种电子镇流器结构简便，成本低。要得到大功率照明势必增大器件电流，致使振荡功率管功耗剧增温升过高导致振荡频率变化，结果会使灯光随频率变化功率幅值失衡。同时，大电流通过线圈温升高磁性导磁率下降，磁饱和电感量变小阻抗趋向零，灯具工作时间与温升正比，温升高加速器件老化，轻则灯管发光不稳定亮度下降，重则烧坏器件缩短使用寿命。由两个振荡逆变功率叠加拖动大功率灯具，解决器件功率容量限制。但是，功率合成振荡电压相位应一致，以克服非线性互调功率不均衡。

发明内容

本实用新型的目的是提供逆变振荡高稳频相位同步，大功率照明的一种双全桥注入锁相功率合成金卤灯。

本实用新型技术解决方案为：包括电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC、金卤灯管、基准晶振、分频器、两个自振荡芯片、全桥逆变器A、全桥逆变器B、相加耦合器、调频信号发生器、灯管触发电路、灯管异常电流检测器，其中，基准晶振由石英晶体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成，第一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻，并分别并接接地电容，同时，还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器，基准晶振输出信号经第二个反相器接入分频器，自振荡芯片内含振荡器、全桥逆变驱动电路，两个自振荡芯片振荡器共接电阻R₁₁、电容C₁₄同步振荡，输出分别经全桥逆变驱动电路连接均由四个功率MOS场效应管两组互补半桥构成的全桥逆变器A、全桥逆变器B，自振荡芯片及全桥逆变器A输出功率变压器T₁与自振荡芯片及全桥逆变器B输出功率变压器T₂反相馈入相加耦合器，功率合成升压馈送灯管触发电路灯管启辉，基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片EXO端锁定相位，调频信号发生器三角波信号接入两个自振荡芯片RC端调频抑制灯光闪烁，灯管异常电流检测器信号经三极管接入两个自振荡芯片SD端，控制振荡快速停振关断全桥逆变器功率MOS场效应管，电网电源经电源滤波器EMI、整流桥堆至功率因数校正APFC输出电压接入基准晶振、分频器、调频信号发生器、自振荡芯片及全桥逆变器A和自振荡芯片及全桥逆变器B的电源端；

其中，调频信号发生器由两个反相器IC_1-3、IC₁₄与电阻R₁₅、R₁₆、电容C₂₁组成低频方波振荡器，经反相器IC_1-5隔离由电阻R₁₇、R₁₈、C₂₂积分成三角波，接入振荡驱动芯片R_T端频率调制振荡波形抑制灯光闪烁；

灯管触发电路由灯管一端经电容C₁₉接入相加耦合器T₃电感L₆，同时并接串联双向触发二极管VD₁₃、电感L₇的电容C₂₀，电感L₇并接脉冲点火变压器T₄电感L₈与稳压二极管VD₁₄、VD₁₅，脉冲点火变压器T₄电感L₈、L₉、稳压二极管VD₁₄、VD₁₅穿过灯异常检测磁环电感L₁₀接地，灯管另一端接脉冲点火变压器T₄电感L₉，灯异常检测磁环电感L₁₀接二极管VD₁₆、电容C₂₄、电阻R₁₉，经电阻R₁₂、R₁₃分压，由三极管VT1接入两个自振荡芯片SD端；