[实用新型]用于移动硬盘的静电保护器有效
申请号: | 201320221429.4 | 申请日: | 2013-04-27 |
公开(公告)号: | CN203205064U | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 黄友华 | 申请(专利权)人: | 成都市宏山科技有限公司 |
主分类号: | G11B33/12 | 分类号: | G11B33/12 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 移动硬盘 静电 保护 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种静电保护器,更具体的说是涉及一种用于移动硬盘的静电保护器。
背景技术
移动硬盘作为信息存储的媒介之一,在现代社会其的作用越来越大。数据安全一直是移动存储用户最为关心的问题,也是人们衡量该类产品性能好坏的一个重要标准。移动硬盘以高速、大容量、轻巧便捷等优点赢得许多用户的青睐,而更大的优点还在于其存储数据的安全可靠性。移动硬盘的内部集成有许多电子元器件,静电对其有很大的杀伤力,导致内部数据的丢失,这将给人们带来严重的损失。
实用新型内容
本实用新型提供一种用于移动硬盘的静电保护器,其能将静电释放掉,避免静电对移动硬盘内的电子元器件造成破坏,以提高移动硬盘内的数据的安全性。
为解决上述的技术问题,本实用新型采用以下技术方案:
用于移动硬盘的静电保护器,它包括保护器外壳和位于保护器外壳内的静电保护电路,所述的静电保护电路包括二极管D1和二极管D2,所述的二极管D1的正极与二极管D2的负极相连,所述的二极管D1的负极连接在VDD上,所述的二极管D2的正极接地,还包括N型场效应管,所述的N型场效应管的漏极连接在VDD上,栅极和源极相连且同时接地。
更进一步的技术方案是:
所述的静电保护电路还包括电阻R,所述的电阻R的一端连接在二极管D1和二极管D2之间。
所述的电阻R的另一端连接有IO端口,且电阻R连接在二极管D1和二极管D2之间的一端连接有内部电路接口。
所述的电阻R的阻值范围为5000欧姆—8000欧姆。
在本实用新型中,移动硬盘的IO端口连接在电阻R上,移动硬盘的内部电路通过内部电路接口连接在该静电保护器上。当有静电产生时,电阻R对内部电路进行限流,防止破坏内部电路。该景点保护器提供多条静电泄放电路:VDD到IO端口、IO端口到VDD,地线到IO端口,IO端口到地线。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本静电保护器能将移动硬盘的静电泄放掉,避免静电对移动硬盘的内部电路造成伤害,提高移动硬盘内部的安全性。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。
图1为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。
[实施例]
如图1所示的用于移动硬盘的静电保护器,它包括保护器外壳和位于保护器外壳内的静电保护电路,所述的静电保护电路包括二极管D1和二极管D2,所述的二极管D1的正极与二极管D2的负极相连,所述的二极管D1的负极连接在VDD上,所述的二极管D2的正极接地,还包括N型场效应管,所述的N型场效应管的漏极连接在VDD上,栅极和源极相连且同时接地。
所述的静电保护电路还包括电阻R,所述的电阻R的一端连接在二极管D1和二极管D2之间。
所述的电阻R的另一端连接有IO端口,且电阻R连接在二极管D1和二极管D2之间的一端连接有内部电路接口。
所述的电阻R的阻值范围为5000欧姆—8000欧姆。
如上所述即为本实用新型的实施例。本实用新型不局限于上述实施方式,任何人应该得知在本实用新型的启示下做出的结构变化,凡是与本实用新型具有相同或相近的技术方案,均落入本实用新型的保护范围之内。
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