[实用新型]小型扭曲模音叉晶片

说明书

技术领域

本实用新型涉及音叉晶体谐振器，尤其涉及小型扭曲模音叉晶片。

背景技术

随着电子产品小型化速度的加快，音叉晶振被越来越多的用于手机、笔记本电脑、微型电子仪器等领域，2012年9月上市的iPhone 5又一次引领了全球智能终端产品的消费热潮。苹果的产品向来不以硬件为核心，但专业机构对其硬件的分析却始终热此不疲。事实上，iPhone 5所包含的5颗石英晶体元件却往往被忽视，而其中的2颗音叉晶振，更是不为人所知。由此可知，音叉晶振对于促进电子产品不断进步起到了巨大的推动作用。

2012年国内32.768Khz年产量50亿只，80~160Khz规模很小，主要以普通应用为主， 200~800Khz产品国内几乎空白，主要国外进口，用于航空航天、遥控遥测等高端领域。

电极设计对音叉晶体谐振器极为重要，它决定了晶体的频率起振。目前传统的石英晶体谐振器主要使利用晶体材料固有的压电振动方式和弯曲振动方式。压电振动方式主要是利用压电效应产生频率效应，频率范围主要在高频段。弯曲振动方式主要是利用晶体固有的弯曲振动方式产生频率效应，其频率范围主要在低频段。但是这2种振动方式由于频率段限制，不能达到200~800Khz频率范围。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是现有的电极设计只能满足应用在高频率范围的音叉晶体谐振器，为此提供一种小型扭曲模音叉晶片。

本实用新型的技术方案是：小型扭曲模音叉晶片，它包括基体和由基体延伸出的两个叉股，所述音叉晶片的整体尺寸为长4.2mm，宽1mm，厚0.4mm，两个叉股之间间距0.2mm，所述音叉晶片的表面设有异极的电极。

上述方案中所述异极的电极包括分别设在两个叉股侧面上的第一正极和第二正极以及第一负极和第二负极，其中一个正极呈矩形且沿一个叉股外边缘分布，其上端距离该叉股自由端0.2mm，另一个正极呈梯形且沿另一个叉股外边缘分布，其上端距离该叉股自由端0.6mm，其下端距离基体底部边缘0.4mm，所述其中一个负极沿着两个叉股的内边缘连为一体且整体呈U型，其底部离基体底部边缘0.1mm，其顶部距离叉股自由端0.2mm，该负极向音叉晶片的厚度方向延伸，另一个负极在音叉晶片的厚度方向上延伸并与呈梯形正极的底部相交。

本实用新型的有益效果是将激励电极设计分布在音叉晶片正反面和两臂面上，并对应分布，使相邻电极成异极，从而音叉晶片在电场作用下可产生设计所需要的振动频率，通过这种独特的电极设计可使音叉晶片实现扭曲模振动方式，从而使频率达到200~800Khz以上。

附图说明

图1是本实用新型示意图；

图中，1、基体，2、第一正极，3、第二正极，4、第一负极，5、第二负极，6、叉股自由端。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步说明。

如图1所示，本实用新型包括基体1和由基体延伸出的两个叉股，所述音叉晶片的整体尺寸为长4.2mm，宽1mm，厚0.4mm，两个叉股之间间距0.2mm，所述音叉晶片的表面设有异极的电极。

本实用新型中的音叉晶片的尺寸是由它的频率范围决定的，这种规格的音叉晶片能达到扭曲振动模式，异极的电极包括分别设在两个叉股侧面上的第一正极2和第二正极3以及第一负极4和第二负极5，第一正极呈矩形且沿一个叉股外边缘分布，其上端距离该叉股自由端6 0.2mm，第二正极呈梯形且沿另一个叉股外边缘分布，其上端距离该叉股自由端0.6mm，其下端距离基体底部边缘0.4mm，所述第一负极沿着两个叉股的内边缘连为一体且向基体延伸在基体上形成Z字形，所述Z字形的一个自由端与第一正极所在基体一侧重合，其底部离基体底部边缘0.1mm，第一负极的顶部距离叉股自由端0.2mm，该负极在顶部向音叉晶片的厚度方向延伸，第二负极在音叉晶片的厚度方向上延伸并与第二正极底部相交。

第一正极、第二正极、第一负极、第二负极在两个叉股的另一侧面也有对应分布，这样两个异极在音叉晶片外形正面和侧面可以连接上。

本实用新型中的电极分布设计可使音叉晶振扭曲振动，从而达到想要的频率范围。