[实用新型]存储装置

说明书

技术领域

本实用新型有关一种存储装置，特别有关一种存储装置内部所使用的内存连接架构的改良。

背景技术

一般来说，在以挥发性内存(volatile memory)组成的存储装置中，挥发性内存通常都是以串接的形式连接在同一条总线上，因此在进行数据存取时，容易有信号反射(reflection)的问题产生。

如图1与图2所示，分别为现有技术的第一内存架构的方框图与第二内存架构的方框图。如图中所示，存储装置主要具有控制芯片11、总线12及两个以上挥发性内存13，其中该控制芯片11通过一条该总线12串接该两个以上挥发性内存13。如图1所示，当该控制芯片11存取第一个该挥发性内存13时，虽然其它的挥发性内存13没有被存取，但仍然会有微小电流21流至各该挥发性内存13。并且，当该总线12的长度越长(即该总线12上串接的该挥发性内存13的数量越多)时，其后方可容纳的该电流21就越大。

如此一来，如图2所示，因为后方的这些挥发性内存13并没有执行数据存取的动作，因此这些电流21会被反射回来，形成反射电流22，即为信号反射(reflection)的现象。而如上所述，当该总线12上串接的该挥发性内存13的数量越多时，其后方可容纳的该电流21就越大，因此反射回来的该反射电流22就越大。如此一来，这些反射电流22将会对原始的存取信息与数据产生干扰，甚至造成信号与数据的错误。

有鉴于上述问题，便有人提出内部终端电阻(On-Die Termination，ODT)的技术，以解决信号反射的问题。一般来说，要使用ODT技术，该挥发性内存13要内建有ODT脚位，这样该控制芯片11才能通过ODT脚位启动该挥发性内存13的ODT功能(如DDR3即内建有ODT功能)。ODT功能启动后，主要在该挥发性内存13中仿真产生一个具有特定电阻值的电阻器，借以，当该挥发性内存13收到该电流21时，会导向该电阻器，而不会反射回去并形成该反射电流22。

然而，当该挥发性内存13开启ODT功能时，该存储装置整体的功耗会增加，因此导致耗电量提高，并且整体的温度也会提高。经由本案申请人的实验发现，在室内温度23℃的状态下连续存取该挥发性内存13三十分钟，在ODT功能关闭的情况下，该挥发性内存13的平均温度为33℃。其中，读取该挥发性内存13的平均电流为1.1A，平均功率为1.65W；写入该挥发性内存13的平均电流为1.2A，平均功率为1.8W。相反地，在ODT功能启用的情况下，该挥发性内存13的平均温度为37.9℃。其中，读取该挥发性内存13的平均电流为1.2A，平均功率为1.8W；写入该挥发性内存13的平均电流为2.8A，平均功率为4.2W。

如上所述，虽然通过ODT功能可以有效解决信号反射(reflection)带来的问题，然而，开启ODT功能所伴随的高温及高耗电量，给本领域中的技术人员带来相当大的困扰。有鉴于此，如何通过ODT以外的技术解决现有的信号反射(reflection)问题，即为本领域中的技术人员所潜心研究的课题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的主要目的在于提供一种存储装置，能够借由改变内存的连接架构，解决因信号反射现象而使原始信号产生噪声或造成信号干扰的问题。

为达到上述目的，本实用新型提供了一种存储装置，该存储装置包含：电路基板，具有正面及背面，并且该电路基板上具有传输接口，所述存储装置通过该传输接口连接外部的计算机主板；内存控制器，设置于所述电路基板，并通过所述电路基板电性连接所述传输接口；总线，设置于所述电路基板，并通过所述电路基板电性连接所述内存控制器，该总线上具有一个以上的接点；内存模块，设置于所述电路基板，并通过所述电路基板电性连接所述总线，其中该内存模块由至少两个内存插槽及至少两个挥发性内存组成，所述至少两个挥发性内存分别通过对应的所述内存插槽连接于同一条所述总线；其中，所述总线上的每个所述接点分别连接两个所述内存插槽，并分别通过所述两个内存插槽存取对应的所述挥发性内存，其中连接到同一个所述接点的所述两个内存插槽，分别设置于所述电路基板的所述正面与所述背面上的对应位置，并且所述两个内存插槽与所述内存控制器之间的距离相等。

进一步地，所述至少两个内存插槽与所述至少两个挥发性内存的数量为双数。

进一步地，所述至少两个内存插槽的数量为八个，所述至少两个挥发性内存的数量为八个，所述总线具有至少四个所述接点，其中每个所述接点分别连接上、下两个所述内存插槽，并通过所述两个内存插槽分别存取上、下两个所述挥发性内存。