[实用新型]一种定焦单极磁铁有效

专利信息
申请号: 201320145674.1 申请日: 2013-03-28
公开(公告)号: CN203179646U 公开(公告)日: 2013-09-04
发明(设计)人: 陈菊香 申请(专利权)人: 陈菊香
主分类号: H01F7/00 分类号: H01F7/00
代理公司: 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人: 谢振龙
地址: 226200 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 单极 磁铁
【说明书】:

技术领域

    本实用新型涉及一种磁铁,特别是一种定焦单极磁铁。

背景技术

近年来,随着电脑、录像及通讯设备等领域的高速发展,设备组建向小型化微型化发展,随之而来的磁性配件的小型化和高精度要求就越来越高。高磁性的定焦单极磁铁能够有效地提高电子设备的读写速度和读写精度,有效地提高了设备的品质和质量。

实用新型内容

为解决上述问题,本实用新型公开了一种定焦单极磁铁,通过设置的由隔磁层包覆设置的由成一定角度的磁片构成的磁体,实现了磁铁的单极作业和多余磁场隔断,增强了单极磁铁的磁场强度,从而有效地提高了电子设备的工作和作业精度,提高了设备的处理和反应速度。

本实用新型公开的定焦单极磁铁,包括磁体和隔磁层,所述的隔磁层为底部和四周封闭的桶体并且紧密包覆设置在磁体的四周,所述的隔磁层在一端设置有漏磁口,所述的磁体包括成辐射形磁片,所述的相邻磁片之间的夹角为32度,所述的磁片两端的磁极同名。本实用新型公开的定焦单极磁铁,通过设置的磁铁和隔磁层,实现了磁铁的单极输出作业和多余磁场隔断,同时还具有结构简单,生产成本低廉,使用操作方便,性能稳定的优点,同时通过设置的辐射形磁片,通过结构性的结构设置不仅增强了单极输出的磁场强度,减小磁体溢磁的同时,增强了定焦单极磁铁的使用效果,从而提高了电子设备的工作和作业精度,提高了设备的信息处理速度和响应速度。

本实用新型公开的定焦单极磁铁的又一种改进,所述的定焦单极磁铁还包括固定装置,所述的固定装置上设置有由中心向四周辐射的并且成32度夹角的卡槽,所述的磁片设置在卡槽内。本改进通过设置的固定装置,不仅提高了磁铁内磁片固定的牢固程度,同时还通过设置的具有特定角度的卡槽,从而实现了单极磁铁的磁场聚焦,提高了产品的质量,提高了设备的读写速度和信息处理速度。

本实用新型公开的定焦单极磁铁,通过设置的磁铁和包覆层实现了磁铁的单极输出,同时通过设置的辐射形磁片组成的磁体增强了定焦单极磁铁的磁性,同时采用固定装置对磁片进行聚焦固定,在提高定焦单极磁铁的结构稳定性的同时还提高了单极磁铁磁场强度,从而提高了电子设备的工作精度,提高了产品的质量。

附图说明

图1、本实用新型公开的定焦单极磁铁的结构示意图;

图2、本实用新型公开的磁体的结构示意图;

附图标记列表:

1、磁体;                     2、隔磁层;                    3、磁片;

4、固定装置。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式,进一步阐明本实用新型,应理解下述具体实施方式仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围。

如图1和图2所示,本实用新型公开的定焦单极磁铁,包括磁体1和隔磁层2,所述的隔磁层2为底部和四周封闭的桶体并且紧密包覆设置在磁体1的四周,所述的隔磁层2在一端设置有漏磁口,所述的磁体1包括成辐射形磁片3,所述的相邻磁片之间的夹角为32度,所述的磁片3两端的磁极同名。本实用新型公开的定焦单极磁铁,通过设置的磁铁和隔磁层,实现了磁铁的单极输出作业和多余磁场隔断,同时还具有结构简单,生产成本低廉,使用操作方便,性能稳定的优点,同时通过设置的辐射形磁片,通过结构性的结构设置不仅增强了单极输出的磁场强度,减小磁体溢磁的同时,增强了定焦单极磁铁的使用效果,从而提高了电子设备的工作和作业精度,提高了设备的信息处理速度和响应速度。

作为一种优选,所述的定焦单极磁铁还包括固定装置4,所述的固定装置4上设置有由中心向四周辐射的并且成32度夹角的卡槽,所述的磁片3设置在卡槽内。本改进通过设置的固定装置,不仅提高了磁铁内磁片固定的牢固程度,同时还通过设置的具有特定角度的卡槽,从而实现了单极磁铁的磁场聚焦,提高了产品的质量,提高了设备的读写速度和信息处理速度。

本实用新型公开的定焦单极磁铁,通过设置的磁铁和包覆层实现了磁铁的单极输出,同时通过设置的辐射形磁片组成的磁体增强了定焦单极磁铁的磁性,同时采用固定装置对磁片进行聚焦固定,在提高定焦单极磁铁的结构稳定性的同时还提高了单极磁铁磁场强度,从而提高了电子设备的工作精度,提高了产品的质量。

本实用新型方案所公开的技术手段不仅限于上述技术手段所公开的技术手段,还包括由以上技术特征任意组合所组成的技术方案。以上所述是本实用新型的具体实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。

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