[实用新型]一种新型微波功率放大器微带匹配网络调节结构有效

专利信息
申请号: 201320138175.X 申请日: 2013-03-25
公开(公告)号: CN203180859U 公开(公告)日: 2013-09-04
发明(设计)人: 叶天宝;陈溅冰 申请(专利权)人: 厦门市雷迅科电子科技有限公司
主分类号: H03H7/38 分类号: H03H7/38
代理公司: 厦门龙格专利事务所(普通合伙) 35207 代理人: 郑晓荃
地址: 361000 福建省厦门市湖*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 微波 功率放大器 微带 匹配 网络 调节 结构
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及通信技术领域,尤其涉及一种新型微波功率放大器微带匹配网络调节结构有关。

背景技术

在现有技术中,在设计微波功率放大器时,为了向负载传输最大的功率,必须使负载与源阻抗相匹配。实现上述匹配的通常做法是在源阻抗和负载之间插入一个无源网络(阻抗匹配网络)。目前的微波功放的阻抗匹配网络基本是以LC拓扑方式的匹配居多,在实现形式上经常表现为微带线加电容。微带线的长度和宽度在电路板上是固定的,其相应的参数是固定、不可改变的。当匹配的源或负载目标,如频率更改,线性度要求更改及功放管本身一致性有限的情况下,发生变化时,只能通过移动电容的位置,或更改电容的容值的大小来改变匹配情况。当移动电容的位置和改变其容值仍无法让匹配满足要求时,则必需重新设计,制造电路板,造成从设计到生产的周期延长,时间效率低下,前期的研发成本上升。

发明内容

本实用新型的目的在于解决现有技术的问题,一种新型微波功率放大器微带匹配网络调节结构,其通过调节可替换电容网络组容值大小而调节匹配微带的等效宽度,进而调节匹配阻抗。   

为达成上述目的,本实用新型采用如下技术方案:

一种新型微波功率放大器微带匹配网络调节结构,包括:匹配微带;第一调节微带、第二调节微带、第一可替换电容网络组、第二可替换电容网络组,第一缝隙,第二缝隙,其中:

第一调节微带与第二调节微带尺寸相同,分别对称放置在匹配微带的两侧;第一调节微带与匹配微带间形成第一缝隙,第二调节微带与匹配微带间形成第二缝隙,第一缝隙与第二缝隙尺寸相同;第一可替换电容网络组与第二可替换电容网络组的电容个数与容值相同,分别均匀等间距跨接在第一缝隙及第二缝隙上方,连接匹配微带与第一调节微带以及匹配微带与第二调节微带。 

具体的,所述的匹配微带为整体结构或由大小相等的单元组拼接组成。所述的第一调节微带及第二调节微带为整体结构或由大小相等的单元组拼接组成。所述的第一可替换电容网络组及第二可替换电容网络组由N个电容并联均匀分布设置。

采用上述技术方案,本实用新型利用调节可替换电容网络组容值大小而调节匹配微带的等效宽度,进而调节匹配阻抗,具体在设计时让匹配微带宽度约为2/3目标理论微带宽度,调节微带宽度约为1/3目标理论微带宽度,可使电路的实际等效微带宽度在一定的范围内可调节。应用于阻抗匹配有较大的调节变化,达到无需重新制板,快速调节的效果,提高时间效率,降低二次开发成本。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,构成本实用新型的一部分,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:

图1为本实用新型的结构示意图;

图2为本实用新型实施例的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白,以下结合附图和实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。

如图1、图2所示为本实用新型的实施例图,如图1为本实用新型的结构图,一种新型微波功率放大器微带匹配网络调节结构, 第一调节微带2与第二调节微带3尺寸相同,分别对称放置在匹配微带1的两侧;第一调节微带2与匹配微带1间形成第一缝隙6,第二调节微带3与匹配微带1间形成第二缝隙7,第一缝隙6与第二缝隙7尺寸相同;第一可替换电容网络组4与第二可替换电容网络组5的电容个数与容值相同,分别均匀等间距跨接在第一缝隙6及第二缝隙7上方,连接匹配微带1与第一调节微带2以及匹配微带1与第二调节微带3。调节结构周边被地包围。 

在实际使用中,所述的匹配微带1可为整体结构或由大小相等的单元组拼接组成。所述的第一调节微带2及第二调节微带3可为整体结构或由大小相等的单元组拼接组成。所述的第一可替换电容网络组4及第二可替换电容网络组5可由N个电容并联均匀分布设置。

如图2为本实用新型实施例,这是一个应用了新型微波功率放大器微带匹配网络调节技术的微波功放放大器电路板图。

本实用新型不仅可用于输出匹配调节,也可应用于输入匹配调节。

本实用新型适用于各种工艺的功率放大器,不仅限于LDMOS工艺。

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