[实用新型]一种阵列基板栅极驱动电路及显示装置有效

专利信息
申请号: 201320114493.2 申请日: 2013-03-13
公开(公告)号: CN203260300U 公开(公告)日: 2013-10-30
发明(设计)人: 吴昊;陈雅娟;陈小川;崔子巍;杨康 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G09G3/20 分类号: G09G3/20
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 蒋雅洁;张颖玲
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 栅极 驱动 电路 显示装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及驱动电路,尤其涉及一种阵列基板栅极驱动(GOA)电路及显示装置。 

背景技术

所谓GOA指Gate on Glass,通过采用集成半导体电路技术取代传统驱动IC,在玻璃基板(Glass)上制作出显示装置的栅极驱动电路。现有的GOA电路是由一系列的薄膜晶体管(TFT)开关组合而成,由于栅极输出脉冲的高电平为20V以上,因此GOA电路中关键尺寸的TFT往往需要很大的宽长比,以满足充电和放电的需要,但是由于TFT本身对于温度的敏感性,宽长比的尺寸越大,则受温度变化的影响就越大,例如上拉单元的TFT的宽长比一般大于2500:1,当温度大幅升高或降低时,TFT特性就会出现漂移,导致输出信号出现相应的波动,从而影响正常的栅极信号输出,严重时可造成显示装置出现灰度不均的线、显示不均(Mura)等现象,从而造成较差的显示效果。总之,GOA电路对于温度的敏感性已经成为限制其进一步发展所面临的严峻问题。 

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型的主要目的在于提供一种GOA电路及显示装置,由于GOA电路能实现温度补偿功能,因此使GOA电路的设计受温度变化的影响大大降低,确保正常的栅极输出,提高显示装置屏幕的显示效果。 

为达到上述目的,本实用新型的技术方案是这样实现的: 

一种阵列基板栅极驱动电路,所述电路包括:对阵列基板栅极驱动电路的关键TFT受到温度影响导致充电电流不稳定进行补偿的温度补偿单元; 

所述温度补偿单元设置在所述阵列基板栅极驱动电路关键TFT周围;所述 温度补偿单元包括电容和PN结。 

其中,所述关键TFT设置在所述阵列基板栅极驱动电路的信号输出端侧,与所述信号输出端相连。 

其中,所述PN结与所述关键TFT的栅极相连,所述电容与所述PN结相连。 

其中,所述PN结具体为:一个PN结的结构、或者由一组PN结的串联集所构成的PN结集的结构。 

一种显示装置,包括上述阵列基板栅极驱动电路。 

本实用新型的GOA电路包括对GOA电路的关键TFT受到温度影响导致充电电流不稳定进行补偿的温度补偿单元。温度补偿单元设置在GOA电路关键TFT周围;温度补偿单元包括电容和PN结。 

采用本实用新型,由于在GOA电路的TFT附近增加了温度补偿单元,能实现温度补偿功能,因此使GOA电路的设计受温度变化的影响大大降低,在温度变化的情况下仍能输出稳定的信号,以确保正常的栅极信号输出,提高显示装置屏幕的显示效果。 

附图说明

图1为现有的GOA电路的组成结构示意图; 

图2为本实用新型的带有温度补偿功能的GOA电路的组成结构示意图; 

图3为本实用新型的温度变化下TFT特性曲线发生漂移的示意图; 

图4为本实用新型的PN结正向电压随温度变化的关系曲线图。 

具体实施方式

本实用新型的基本思想是:GOA电路包括对GOA电路的关键TFT受到温度影响导致充电电流不稳定进行补偿的温度补偿单元。温度补偿单元设置在GOA电路关键TFT周围;温度补偿单元包括电容和PN结。 

本实用新型的GOA电路,包括对GOA电路的关键TFT受到温度影响导 致充电电流不稳定进行补偿的温度补偿单元。所述温度补偿单元设置在GOA电路关键TFT周围;温度补偿单元由在现有GOA电路的关键TFT周围增加的电容和PN结所构成。 

这里需要指出的是:本实用新型提出的GOA电路是一种全新设计的GOA电路,通过在长宽比较大的关键TFT附近增加温度补偿单元,使其对TFT在温度变化情况下产生的特性漂移进行补偿,减少和抵消关键尺寸TFT由于温度变化而产生的特性变化,保证GOA电路在不同温度下能够输出稳定的栅极信号,使GOA整个驱动电路对于温度变化能够有较好的稳定性,也就是说,采用本实用新型,由于GOA电路能实现温度补偿功能,因此使GOA电路的设计受温度变化的影响大大降低,在温度变化的情况下仍能输出稳定的信号,以确保正常的栅极信号输出,提高显示装置屏幕的显示效果。 

进一步的,所述关键TFT设置在所述GOA电路的信号输出端一侧,与所述信号输出端即OUTPUT端相连。 

进一步的,所述PN结与所述关键TFT的栅极相连,增加的电容与所述PN结相连。 

进一步的,所述温度补偿单元为:采用所述PN结正向压降的温变特性调节所述关键TFT的栅极电压变化的单元。 

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