[实用新型]直流电源降压器电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及直流电源降压器电路。应用于汽车电路系统。

背景技术

市场常见的用3842等电源芯片制作的、或一些以前出现过的模块电源，都是脉宽调制（PWM）电源；有的电源虽有变压器隔离、变压器储能，但它也属于脉宽调制（PWM）电源——它们都是有着固定且较高的工作频率的特征。

电源的损耗主要是由开关管开关的损耗所决定的：开关频率高，损耗就大；开关频率低，损耗就小。

电源实际工作负载大多数是在动态情况下的：比如拿收放机来说，新闻广播、文艺节目，是较多地工作在中功率、低功率下，语音的停顿、音乐的间隔又是工作在极低功率下的；狂热的摇滚音乐之类，持续高功率的时间是不多的。

如果，电源在高输出功率时，有确定频率的有机组合；在中、低、极低功率工作时，开关频率都随着输出功率的降低而降低，那该电源动态工作时即可实现低功耗高效率。

市场常见的用3842等电源芯片制作的、或一些以前出现过的模块电源，它们的开关工作频率都是固定在100KHz左右，它们工作时，我们在近旁收听该频率或接近该频率的中波调幅节目时，是一定会受到干扰的；还有应用到电视机中会有明暗相间的类似“百叶窗”的干扰。

市场常见的用3842等电源芯片制作的、或一些以前出现过的模块电源，那些没有变压器的隔离的，倘若其中的功率场效应管被击穿，输入端电压（较高的），还会直通到它的输出端（较低的），会导致损坏用电设备（负载）的。因此，需要提供一种新的技术方案来解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种具有变压器隔离作用的低功耗高效率的直流电源降压器电路。

本实用新型采用的技术方案是：

直流电源降压器电路，它包括

过功率保护电路，其用于控制电源主控芯片U1；

过流保护电路，其用于控制三极管Q1，该三极管Q1的集电极通过电阻R3与电源主控芯片U1的Isense端连接；

欠压保护电路，其包括开关二极管VD3，开关二极管VD3的阴极与电源主控芯片U1的Vcc端连接；以及

过压保护电路，其包括电阻R7、电阻R8、电容C9、稳压二极管VDz2和可控硅三极管VS1 ，该可控硅三极管VS1的阴极接地，该可控硅三极管VS1的阳极与开关二极管VD3的阳极连接。 

所述控制电源主控芯片U1包括Isense端、Vcc端、OUT端、COMP端、Vfb端、Vref端、RT/CT端和GND端；

所述控制电源主控芯片U1的Isense端与电阻R10和电阻R11的并联端连接，该电阻R11还与电容C16串连；

所述控制电源主控芯片U1的Vcc端与电容C14和电解电容C15的并联电路连接，所述电容C14和电解电容C15并联后接地，所述控制电源主控芯片U1的Vcc端还与电压输入端连接；

所述控制电源主控芯片U1的OUT端通过电容C22与变压器T1一侧连接，所述变压器T1另一侧通过电容C21与功率MOSFET 管VT1连接；

所述控制电源主控芯片U1的COMP端与电阻R12和电容C17串连，所述电阻R12和电容C17串连连接后与控制电源主控芯片U1的Vfb端连接；

所述控制电源主控芯片U1的Vref端分别与电解电容C19的阳极和电阻R13一端连接，所述电解电容C19的阴极接地，所述电阻R13另一端与电容C18一端连接，所述电容C18另一端接地；

所述控制电源主控芯片U1的RT/CT端与电阻R10和电阻R11的并联端连接；

所述控制电源主控芯片U1的GND端接地。

所述三极管Q1的基极与电阻R2连接，所述三极管Q1的发射极分别与电容C4、电阻R1a和电阻R1b连接，所述电阻R1a和电阻R1b并联后与电阻R2连接，所述电阻R1a和电阻R1b并联后还与功率MOSFET 管VT1连接，所述功率MOSFET 管VT1通过负载L2、负载L3与过压保护电路的可控硅三极管VS1的阳极连接。

所述过压保护电路中的电阻R8和电容C9并联连接，所述电阻R8和电容C9并联连接后接地，所述电阻R8与稳压二极管VDz2连接，所述稳压二极管VDz2与电阻R7串连连接，所述电阻R7与可控硅三极管VS1的阳极连接，所述可控硅三极管VS1的闸极与电容C9连接，所述电阻R7还与电压输出端连接。