[实用新型]一种LED驱动电路

权利要求书

1.一种LED驱动电路，其特征在于，其包括：电感L1、二极管D1、电容C1、功率开关、采样开关、电流采样电路和电流模控制电路，

将电流采样电路和电流模控制电路设置于第一晶片中，将功率开关和采样开关设置于第二晶片中，

第二晶片采用垂直沟槽栅工艺制造，第一晶片的制造工艺与第二晶片的不同。

2.根据权利要求1所述的LED驱动电路，其特征在于，电感L1、二极管D1和电容C1依次串联于输入电压和地之间，功率开关串联在电感L1和二极管D1的中间节点和地之间，所述二极管D1和电容C1之间的节点为输出节点。

3.根据权利要求1所述的LED驱动电路，其特征在于，所述采样开关和电流采样电路共同来采样所述功率开关上流过的电流并得到所述功率开关的采样电流，所述电流模控制电路根据功率开关的采样电流以及电流反馈电压输出开关控制信号来控制所述功率开关和所述采样开关的导通和截止。

4.根据权利要求1-3任一所述的LED驱动电路，其特征在于，所述采样开关和所述功率开关均是NMOSEFT，

所述采样开关的漏极连接所述电流采样电路，构成第二晶片的DS压焊区，所述采样开关的栅极与所述功率开关的栅极相连，构成第二晶片的G压焊区，并与所述电流模控制电路的输出端相连，所述功率开关的漏极接电感L1和二极管D1的中间节点，构成第二晶片的DN压焊区，所述采样开关的漏极与所述功率开关的漏极相连，构成第二晶片的S压焊区，并接地。

5.根据权利要求4所述的LED驱动电路，其特征在于，第一晶片与第二晶片封装在一起。

6.根据权利要求4所述的LED驱动电路，其特征在于，所述功率开关和所述采样开关的结构相同，

所述功率开关包括N+衬底，形成于N+衬底上方的N-层，形成于N-层上方的P-阱，自P-阱的上表面向下延伸至N-层内的栅极，半围绕所述栅极以将所述栅极隔离的栅氧层，自P-阱的上表面向下延伸至P-阱内的N+有源区和P+有源区，其中N+有源区形成功率开关的源极，P+有源区形成功率开关的衬体连接端，N+衬底形成功率开关的漏极，P+表示P型重掺杂，P-表示P型轻掺杂，N+表示N型重掺杂，N-表示N型轻掺杂，

在所述功率开关和所述采样开关之间形成有DP区域，所述DP区域自所述功率开关与所述采样开关之间的N-层的上表面向下延伸至N+衬底的下表面，隔离N-层和下部的N+层。

7.根据权利要求6所述的LED驱动电路，其特征在于，所述栅极的上表面暴露于所述栅氧层外，所述栅氧层为U形，P+有源区较N+有源区更远离所述栅极，在所述栅极的两侧都设置有P+有源区和N+有源区，N+有源区和P+有源区相邻接。

8.根据权利要求6所述的LED驱动电路，其特征在于，所述DP区域形成环形区域，在环形的DP区域内形成所述采样开关，在环形的DP区域外形成所述功率开关。