[实用新型]低压电力载波功率放大电路

权利要求书

1.一种低压电力载波功率放大电路，其特征在于：

在低压电力载波功率放大电路的电源并联超级电容电路。

2.如权利要求1所述的低压电力载波功率放大电路，其特征在于，所述超级电容电路包括：

单个超级电容；

或，多个串联的超级电容；

或，多个并联的超级电容；

或，多个以串联和并联方式组合的超级电容。

3.如权利要求1或2所述的低压电力载波功率放大电路，其特征在于，所述低压电力载波功率放大电路包括：由第一金属氧化物半导体场效应管MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET、第四MOSFET构成的桥接式负载BTL功率放大电路。

4.如权利要求3所述的低压电力载波功率放大电路，其特征在于，所述BTL功率放大电路具体是：

第一MOSFET的漏极与正电源连接，第一MOSFET的源极与第二MOSFET的漏极连接，第二MOSFET的源极与电源地连接；

第一电阻的第一端与正电源连接，第一电阻的第二端与第一MOSFET的栅极连接；第二电阻的第一端与电源地连接，第二电阻的第二端与第二MOSFET的栅极连接；

第一开关二极管的阳极与第一MOSFET的栅极连接，第一开关二极管的阴极与正电源连接；第二开关二极管的阳极与电源地连接，第二开关二极管的阴极与第二MOSFET的栅极连接；

需要放大的第一信号从第一电容的第一端和第二电容的第一端输入，第一电容的第二端与第一MOSFET的栅极连接，第二电容的第二端与第二MOSFET的栅极连接；

第三MOSFET的漏极与正电源连接，第三MOSFET的源极与第四MOSFET的漏极连接，第四MOSFET的源极与电源地连接；

第三电阻的第一端与正电源连接，第三电阻的第二端与第三MOSFET的栅极连接；第四电阻的第一端与电源地连接，第四电阻的第二端与第四MOSFET的栅极连接；

第三开关二极管的阳极与第三MOSFET的栅极连接，第三开关二极管的阴极与正电源连接；第四开关二极管的阳极与电源地连接，第四开关二极管的阴极与第四MOSFET的栅极连接；

第一信号的反向信号从第三电容的第一端和第四电容的第一端输入，第三电容的第二端与第三MOSFET的栅极连接，第四电容的第二端与第四MOSFET的栅极连接；

功率放大后的信号从第一MOSFET的源极和第三MOSFET的源极输出；

第五电容与耦合变压器初级一端串联作为功放负载分别连接在第一MOSFET的源极和第三MOSFET的源极；

耦合变压器次级一端与第六电容串联输出到220V交流线路。

5.如权利要求4所述的低压电力载波功率放大电路，其特征在于，第一MOSFET和第三MOSFET为N型MOSFET，第二MOSFET和第四MOSFET为P型MOSFET。

6.如权利要求3所述的低压电力载波功率放大电路，其特征在于，所述BTL功率放大电路由集成电路构成。

7.如权利要求1或2所述的低压电力载波功率放大电路，其特征在于，所述低压电力载波功率放大电路包括：由第一开关三极管、第二开关三极管、第三开关三极管、第四开关三极管构成的BLT功率放大电路。