[实用新型]一种535 nm 全固态倍频激光器

权利要求书

1.一种535 nm 全固态倍频激光器，包括泵浦源、耦合透镜组、激光晶体、调Q 器件、倍频晶体、输入镜M1、腔镜M2、输出镜M3 和温度控制系统，泵浦源位于耦合透镜组之前，输入镜M1位于耦合透镜组之后，输入镜M1和输出镜M3构成耦合腔，耦合腔内放置腔镜M2将耦合腔分为前腔和后腔，前腔内依次放置激光晶体和调Q器件；后腔放置倍频晶体；激光晶体、调Q器件和倍频晶体均通过温度控制系统保持其温度恒定，其特征在于：输入镜M1镀有对泵浦光波段光透过率不小于99%、对1070 nm 波长的光反射率不小于99%的介质膜；腔镜M2镀有对1070 nm波段光透过率不小于99%、对535 nm波段光反射率不小于99%的介质膜；输出镜M3镀有对1070 nm 波段光反射率不小于99%、对535 nm波段光透过率不小于96%的介质膜；激光晶体采用Nd:KLu(WO₄)₂晶体，晶体两个端面镀有对1070 nm 波段光透过率不小于99%的介质膜；倍频晶体两个端面镀有对1070 nm波段光透过率不小于99%、对535 nm波段光透过率不小于99%的介质膜。

2.如权利要求1所述一种535 nm 全固态倍频激光器，其特征在于所述激光晶体的晶体切割方向为a 切，长度在0.5 mm 到50 mm之间。

3.如权利要求1所述一种535 nm 全固态倍频激光器，其特征在于所述的调Q器件为主动声光调Q器件、主动电光调Q器件、被动Cr：YAG调Q器件和半导体调Q器件的一种，连续运转时不插入调Q器件。

4.如权利要求1所述一种535 nm 全固态倍频激光器，其特征在于所述的倍频晶体为KTP、KTA、LBO和BBO晶体中的一种，其长度在1 mm至20 mm，切割方向为用于1070 nm 激光倍频的角度。

5.如权利要求1所述一种535 nm 全固态倍频激光器，其特征在于所述的输出镜M1和输出镜M3 为平镜、凹镜和凸镜中一种。

6.如权利要求1所述一种535 nm 全固态倍频激光器，其特征在于所述泵浦源为半导体激光器、光纤耦合输出半导体激光器和氙灯中一种，泵浦方式为端面泵浦或者侧面泵浦，侧面泵浦方式不使用耦合透镜组。