[实用新型]高性能调频发射器

说明书

技术领域

本实用新型属于电子与无线通讯技术领域，涉及一种高性能调频发射器。

背景技术

本实用新型采用单只NPN型晶体管，利用变容二极管调节高频振荡电路的振荡频率, 从而将声音信号调制成为调频波。因电路只使用一只NPN型晶体管，电路受前后级的牵扯和干扰少，使得振荡电路的频率比较稳定，适合用于无线耳机等高保真度信号传输，适用于课堂教学、文体娱乐等领域。

试验证明：本实用新型使用普通分立元件制作的高性能调频发射器，实现了调频无线话筒电路结构简单，制作容易、高频振荡频率稳定、耗电少等目的。高性能调频发射器的电路全部使用普通元器件制作，制作成本仅需十几元。

以下详细说明本实用新型所述的高性能调频发射器在实施过程中所涉及的有关技术内容。

实用新型内容

发明目的及有益效果：本实用新型采用单只NPN型晶体管，利用变容二极管调节高频振荡电路的振荡频率, 从而将声音信号调制成为调频波。因电路只使用一只NPN型晶体管，电路受前后级的牵扯和干扰少，使得振荡电路的频率比较稳定，适合用于无线耳机等高保真度信号传输，适用于课堂教学、文体娱乐等领域。试验证明：本实用新型使用普通分立元件制作的高性能调频发射器，实现了调频无线话筒电路结构简单，制作容易、高频振荡频率稳定、耗电少等目的。

电路工作原理：高性能调频发射器由驻极体话筒MIC将声音信号转变为音频电流，将NPN型晶体管VT1（BF494）设计成小功率高频振荡器（VHF波段），高频振荡电路内用变容二极管D1来调节发射器的频率，并且利用音频信号对振荡电路中的变容二极管D1进行调频。由NPN型晶体管VT1、高频振荡线圈L1和L2组成的高频振荡器，调制成调频信号由发射天线ANT辐射到空间，振荡电路输出功率约为50mW,有效发射距离可达80m，发射的调频信号由FM波段调频广播收音机接收，经收音机放大后由扬声器还原成声音。

技术特征：高性能调频发射器，它包括9V直流电源、拾音电路、振荡频率调节电路、晶体管偏置电路、高频振荡电路及发射电路，其特征在于：

拾音电路：它由驻极体话筒MIC、电阻R1、耦合电容C1组成，驻极体话筒MIC的输出端D接电阻R1的一端和耦合电容C1的一端，驻极体话筒MIC的金属外壳端S与电路地GND相连，电阻R1的另一端接电路正极VCC；

振荡频率调节电路：它由电位器RP和变容二极管D1组成，电位器RP的一端接电路正极VCC，电位器RP的活动端接变容二极管D1的负极和耦合电容C1的另一端，电位器RP的另一端和变容二极管D1的正极接电路地GND；

晶体管偏置电路：它由NPN型晶体管VT1、电阻R2、电容C2和电阻R3组成，NPN型晶体管VT1的基极接电阻R2的一端、电容C2的一端和电阻R3的一端，电阻R2的另一端接电路正极VCC，电容C2的另一端和电阻R3的另一端接电路地GND；

高频振荡电路及发射电路：它由NPN型晶体管VT1、电容C3、高频振荡线圈L1和L2、负反馈电容C4、负反馈电阻R4、耦合电容C5及发射天线ANT组成，NPN型晶体管VT1的集电极接电容C3的一端和电容C4的一端，电容C3的另一端接变容二极管D1的负极，电容C4的另一端接NPN型晶体管VT1的发射极和负反馈电阻R4的一端，负反馈电阻R4的另一端接电路地GND，NPN型晶体管VT1的集电极接高频振荡线圈L1的一端，高频振荡线圈L1的另一端接高频振荡线圈L2的一端和耦合电容C5的一端，高频振荡线圈L2的另一端接电路正极VCC，耦合电容C5的另一端接发射天线ANT；

9V直流电源正极与电路正极VCC相连，9V直流电源负极与电路地GND相连。

附图说明

附图1是本实用新型提供的高性能调频发射器一个实施例电路工作原理图。

具体实施方式

按照附图1所示的高性能调频发射器电路工作原理图和附图说明，并按照实用新型内容所述的各部分电路中元器件之间连接关系，以及实施方式中所述的元器件技术参数要求和电路制作要点进行实施即可实现本实用新型，以下结合实施例对本实用新型的相关技术作进一步的描述。

元器件的选择及其技术参数