[实用新型]一种生产晶体的晶体合成炉

权利要求书

1.一种生产晶体的晶体合成炉，包括炉体和设置在该炉体内的晶体生长系统，其特征在于：所述晶体合成炉还包括设置在所述炉体内的原料熔融系统和熔融原料输送系统，其中该熔融原料输送系统用于在晶体生长过程中将该原料熔融系统中的熔融原料输送到所述晶体生长系统。

2.根据权利要求1所述的晶体合成炉，其特征在于：

所述原料熔融系统包括原料熔融坩埚和用于对该原料熔融坩埚进行加热的原料熔融坩埚加热系统，所述原料熔融坩埚具有出料口；

所述熔融原料输送系统包括至少一根熔融原料输送管道和熔融原料输送控制系统；

所述晶体生长系统包括晶体生长坩埚、晶体生长坩埚加热系统以及垂直升降系统，该垂直升降系统用于控制晶体生长坩埚的上升和下降，所述晶体生长坩埚具有进料口；

其中，所述熔融原料输送管道的一端与所述原料熔融坩埚的出料口连接，另一端与所述晶体生长坩埚的进料口连接，以便在晶体生长过程中，所述原料熔融坩埚中的熔融原料能经由该熔融原料输送管道输送到所述晶体生长坩埚中；所述熔融原料输送控制系统被配置成控制所述熔融原料的输送。

3.根据权利要求2所述的晶体合成炉，其特征在于：所述熔融原料输送控制系统包括气体源、气体控制系统和气体热交换管道，其中所述气体热交换管道包括进气段、热交换段和出气段，该热交换段围绕所述熔融原料输送管道以用于与该熔融原料输送管道进行热交换；所述气体控制系统用于控制热交换气体从所述气体源进入所述气体热交换管道的流量以控制所述熔融原料的流量。

4.根据权利要求3所述的晶体合成炉，其特征在于：所述气体控制系统包括信号放大器、PID控制器和流量阀门，所述进气段通过该流量阀门连接于所述气体源，所述信号放大器、PID控制器和流量阀门构成控制回路以控制热交换气体从所述气体源进入所述气体热交换管道的流量。

5.根据权利要求2-4中任一项所述的晶体合成炉，其特征在于：所述熔融原料输送管道包括熔融原料输送管道上段和熔融原料输送管道下段，其中，该熔融原料输送管道上段与所述原料熔融坩埚的出料口连接，该熔融原料输送管道下段与所述晶体生长坩埚的进料口连接；该熔融原料输送管道上段的外径小于该熔融原料输送管道下段的内径，从而使得该熔融原料输送管道上段可插入该熔融原料输送管道下段并可在该熔融原料输送管道下段内自由滑动，并且由该熔融原料输送管道上段插入该熔融原料输送管道所形成的重叠部分在晶体生长过程中始终存在。

6.根据权利要求5所述的晶体合成炉，其特征在于：所述晶体为弛豫铁电单晶铌镁酸铅—钛酸铅晶体。

7.根据权利要求5所述的晶体合成炉，其特征在于：所述原料熔融坩埚加热系统包括加热器、热电偶、温度控制器和连接以上三者的导线，所述加热器环绕在所述原料熔融坩埚之外并对其加热，所述热电偶的测温点为所述原料熔融坩埚。

8.根据权利要求5所述的晶体合成炉，其特征在于：所述原料熔融系统还包括设置在所述原料熔融坩埚周围的保温材料。

9.根据权利要求5所述的晶体合成炉，其特征在于：所述熔融原料输送系统还包括设置在所述熔融原料输送管道和气体热交换管道周围的保温材料。

10.根据权利要求3或4所述的晶体合成炉，其特征在于：所述熔融原料输送控制系统还包括气体回收装置，所述出气段连接于该气体回收装置。