[实用新型]有机发光显示屏薄膜晶体管像素驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及有机发光二极管（OLED）显示技术，特别是有源矩阵有机发光显示屏（AMOLED），具体涉及一种低温多晶硅（LTPS）薄膜晶体管（TFT）像素驱动电路。

背景技术

AMOLED（Active Matrix/Organic Light Emitting Diode）为有源矩阵有机发光二极管显示屏，或称为有源矩阵有机发光显示屏，具有反应速度较快、对比度更高、视角较广等特点。AMOLED像素电路的基本结构如图1所示，主要适用于低温多晶硅薄膜晶体管像素驱动电路。在有机发光二极管显示技术中，薄膜晶体管均为场效应晶体管。图1中用于数据信号传送和切断的晶体管T2称为信号切换晶体管，与有机发光二极管D连接的晶体管T1称为驱动晶体管。通常晶体管T1的工作电流要大于晶体管T2，在结构尺寸上也有所不同。为使其具有足够的电流驱动能力，晶体管T1尺寸一般比晶体管T2大。图1中的电容Cs是一个存储电容，利用切换晶体管控制数据信号data来执行储存一个帧计时（frame timing）期间的数据信号的作用。电容Cs是薄膜电路中的结构电容，通常由硅有源层、栅金属（gate metal）及其之间的栅绝缘体（gate insulator）构成，或者由栅金属、数据线金属（data metal）及其之间绝缘层（ILD layer）构成。该电路对于顶部发光的AMOLED，能保障发光开口率，而且与基板的TFT结构无关，但对于底部发光的AMOLED，根据基板的TFT结构，发光开口率会受限制，因此对电容Cs容量有要求，虽然不能无限大但适当的容量是需要的。现有技术中，电容Cs的容量通常较小，对提高电路性能不利。根据电容容量C的表达式：

C∝A/d

式中，A为电容极板面积，d为极板间距。

为了扩充电容的容量，如果扩大极板面积，发光面会变小，因此开口率会受损失；如果缩短极板间距扩充容量，有可能发生击穿的问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题，就是提供一种有机发光显示屏薄膜晶体管像素驱动电路，通过增加电容容量改进像素驱动电路的性能。

本实用新型解决所述技术问题，采用的技术方案是，有机发光显示屏薄膜晶体管像素驱动电路，包括信号切换晶体管、驱动晶体管以及连接在所述驱动晶体管栅极和源极之间的存储电容，所述信号切换晶体管栅极接扫描信号，源极接数据信号，漏极与驱动晶体管的栅极连接；所述驱动晶体管源极接电源，漏极接有机发光二极管阳极；所述有机发光二极管阴极接地；其特征在于，所述存储电容由2只并联的电容构成。

进一步的，所述信号切换晶体管与驱动晶体管具有不同的结构尺寸。

具体的，所述信号切换晶体管与驱动晶体管均为P型TFT。

优选的，所述2只并联的电容均为薄膜电路结构电容。

本实用新型的有益效果是，采用2只电容并联的方法提高存储电容的容量，减少消耗电力，缩短驱动晶体管的导通延时，从而提高电路性能，并且不会影响发光开口率，也不会产生击穿故障。

附图说明

图1是现有技术结构示意图；

图2是本实用新型结构示意图。

其中，T1为驱动晶体管；T2为信号切换晶体管；Cs、C1、C2均为电容；D为有机发光二极管；VDD为电源；DATA为数据信号；SCAN为扫描信号。

具体实施方式

下面结合附图及实施例，详细描述本实用新型的技术方案。

本实用新型的有机发光显示屏薄膜晶体管像素驱动电路，在现有技术的薄膜晶体管像素驱动电路中，采用2只并联的电容作为存储电容，既不增加电容极板的面积，也不用试图降低电容极板之间的距离。一方面能够减少消耗电力，缩短驱动晶体管的导通延时，从而提高电路性能，并且不会影响OLED的发光开口率，也不会产生击穿故障。

实施例

本例有机发光显示屏薄膜晶体管像素驱动电路结构如图2所示，包括信号切换晶体管T2、驱动晶体管T1以及连接在所述驱动晶体管T1栅极和源极之间的电容C1和C2。图2中电容C1和C2并联在一起构成本例的存储电容。本例信号切换晶体管T2与驱动晶体管T1均为P型TFT，并且信号切换晶体管T2与驱动晶体管T1具有不同的结构尺寸。图2中，信号切换晶体管T2栅极接扫描信号SCAN，源极接数据信号DATA，漏极与驱动晶体管T1的栅极连接。驱动晶体管T1源极接电源VDD，漏极接有机发光二极管D的阳极；有机发光二极管D的阴极接地。