[实用新型]一种低温下材料线膨胀系数测量装置有效

专利信息
申请号: 201320056537.0 申请日: 2013-01-31
公开(公告)号: CN203133002U 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 陈星;何凯;王建新;吴云;张勤耀 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: G01N25/16 分类号: G01N25/16
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 郭英
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 低温 材料 线膨胀 系数 测量 装置
【说明书】:

技术领域

专利涉及材料热物理性能的表征领域,具体是指测量固体材料从室温(300K)至液氮温度(77K)范围内线膨胀系数的装置。 

背景技术

对于材料热膨胀系数测量的方法主要有顶杆法、光干涉法、电容法以及电阻测量法等机械、光学和电学的测量方法,通常这些方法都在室温下进行,难以获得材料的低温参数。而在低温应用领域,由于测试困难等原因,相应的测试方法和数据也就较少。因此,对于特殊应用领域的特定材料,对材料的热物理特性准确测试非常重要。例如,在混成结构红外焦平面探测器制造领域,探测器本身和封装结构,涉及多种金属与非金属材料;又由于探测器必须在液氮温度下工作,而通常探测器是在室温下集成、加工和封装的,在如此大的温度变化范围内,材料之间热失配必然比较严重,热失配导致探测器内部应力的产生,相应引起探测器的失效,这在很大程度上制约了大规模红外焦平面探测器的发展,因此对类似工作在低温环境条件下的光电探测器进行热失配和热应力的分析一直以来都是关注的重点。材料的热膨胀系数、弹性模量等参数一般都是随着温度变化而变化的,不同的温度区间其相应的值也不同。在进行产品的设计和应力分析时,必须采用材料的低温参数进行分析和计算模拟。另外,由于材料的来源和不同制造工厂的产品的制造工艺存在差异。因此,对所用的材料在从室温至液氮温度(77K)的低温温度区间,测试材料的热膨胀系数就特别重要。 

发明内容

本专利的目的是提供一种测量精度高,在室温到液氮温度范围内温度可变的简单快捷的材料线膨胀系数的装置。釆用间接测试的方案,即通过选取适当的标准片与待测材料组成叠状双层结构,结合两不同材料之间双金属效应的挠度计算理论公式,利用实际所测得的不同温度点下双层结构的挠度形变值推导出未知材料的相应的线膨胀系数。双层结构样品由于热膨胀系数差异而导致的平面形变由光学精密高度测试仪对样品表面上X、Y坐标固定的一系列点的Z向高度进行测量,经过相应数据处理后得到,其上温度由温度可调可监控的专用变温杜瓦控制。 

测试装置由X-Y二维移动平台1、激光高度测距仪2以及控温杜瓦3组成;控温杜瓦3包括L型杜瓦外壳3-1、内胆3-2、隔热真空腔3-5、冷平台3-11、活塞3-12、拉杆3-13和加热电阻3-14;L型杜瓦外壳3-1左半竖起部分上端靠外侧有一真空排气口3-3,右半横放部分上端有一专用杜瓦窗口3-7,与外壳真空密封连接;活塞3-12位于杜瓦内胆3-2中,拉杆3-13穿过内胆左半竖起部分上端的液氮灌注口3-4与之相连接,活塞3-12在杜瓦加工期间制作放置,杜瓦变温使用时拉杆与活塞首先分离,活塞滑落在内壳底部,液氮3-6注满后,拉杆与活塞再进行连接;样品安装冷平台3-11左端与液氮相接触,且与内胆壳密封连接,冷平台顶面与杜瓦窗口3-7相对应;冷平台顶面上有一温度传感器3-8,底面装有加热电阻3-14,温度传感器和加热电阻引线从杜瓦的穿墙接线柱3-9引出与外部仪表相连接;在进行温度调节时,利用拉杆3-13提拉活塞3-12控制液氮3-6与冷平台3-11接触的面积,对冷平台上温度进行粗调节,后由加热电阻3-14实现冷平台上温度的精调节。 

在上述测试装置下,低温下材料线膨胀系数的测量实施过程如下: 

1)样品制作:选取一种在各温度点上线膨胀系数已经标定的石英、硅或蓝宝石材料作为标准材料,将其切割成长L宽W厚t0的长方形片状结构,表面平整度优于±1um,作为标准片4,其中:长L取15-30mm,宽W取3-6mm,厚t0取0.4-0.7mm;待测材料5加工成与标准片同样大小和厚度的长方形片状结构,两者通过环氧低温胶粘接成叠状的双层结构,从而完成样品3-10的制作; 

2)样品安装:将样品3-10的待测材料5用铜箔胶6粘接固定在杜瓦冷平台3-11上,粘结带位于待测片5底面的中心位置处,长度为样品长度的1/4; 

3)样品安装好后将杜瓦抽真空至真空度低于1x10-3Pa,然后向杜瓦中注入液氮,待温度传感器3-8实时监测到冷平台3-11的温度稳定后将杜瓦固定在激光高度测距仪2的X-Y二维移动平台1上; 

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所,未经中国科学院上海技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320056537.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top