[实用新型]陶瓷电路基板

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种陶瓷电路基板，属于电路板技术领域。

背景技术

陶瓷基板目前被普遍地应用于电子产业中，作为一种重要的电路板板材，例如LED陶瓷基板，其透过于表面电镀而可进一步在基板的两面上做布设、配置电路等等动作。现有陶瓷基板具有高散热性以及耐腐蚀、具有较高的绝缘性能和优异的高频特性、膨胀系数低，化学性能稳定且热导率高，无毒等优点；但存在以下技术问题：

在现有技术中的陶瓷基板电路制程上，需要将基板两面上的相互分离电路点做导通连接或者是做基板两面间的导热处理时，容易发生于连接孔中未完全填满而有孔洞，从而在产品的良率控管上有其瓶颈。

其次，普通陶瓷电路板由于其同时具有高硬度的特性，所以质脆，机加工难度大，同时由于其表面平整，不易通过电镀实现层间导通也难于与其它层有效结合形成多层电路板；再次，传统的电路板优点单一，不能同时拥有高导热率，高集成度等功能，不能满足市场对电路板具有高连接性，高密度，导热性好的需求。因此，如何解决上述技术问题，成为本领域普通技术人员努力的方向。

发明内容

本实用新型目的是提供一种陶瓷电路基板，该陶瓷电路基板大大降了连接孔内的金属表面产生凹陷的几率，从而有效避免了空洞的产生，提高了产品的可靠性和良率。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种陶瓷电路基板，包括氮化铝基片和氧化铝基片，此氮化铝基片的下表面和氧化铝基片的上表面之间具有一金属图形层，所述氮化铝基片中具有若干个贯通其上、下表面的连通孔，此连通孔内填充有金属柱；一银浆焊接层覆盖于所述氮化铝基片上表面并位于连通孔正上方，一用于与元器件电接触的铜电路层固定于所述银浆焊接层与连通孔相背的表面。

上述技术方案中进一步改进的技术方案如下：

作为优选，所述氮化铝基片和氧化铝基片的厚度比为1：1.2~1.5。

由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点和效果：

本实用新型陶瓷电路基板，其银浆焊接层覆盖于所述氮化铝基片上表面并位于连通孔正上方，一用于与元器件电接触的铜电路层固定于所述银浆焊接层与连通孔相背的表面，由于银浆未固化前流延性好，大大降了连接孔内的金属表面产生凹陷的几率，从而有效避免了空洞的产生，提高了产品的可靠性和良率；其次，陶瓷烧结体由氮化铝基片和氧化铝基片组成，此氮化铝基片的下表面和氧化铝基片的上表面之间具有一金属图形层，具有高品质因数，从而降低了高频损耗，且具有稳定的温度系数。

附图说明

附图1为本实用新型陶瓷电路基板结构示意图。

以上附图中：1、氮化铝基片；2、氧化铝基片；3、金属图形层；4、连通孔；5、金属柱；6、银浆焊接层；7、铜电路层。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：

实施例1：一种陶瓷电路基板，包括氮化铝基片1和氧化铝基片2，此氮化铝基片1的下表面和氧化铝基片2的上表面之间具有一金属图形层3，所述氮化铝基片1中具有若干个贯通其上、下表面的连通孔4，此连通孔4内填充有金属柱5；一银浆焊接层6覆盖于所述氮化铝基片1上表面并位于连通孔4正上方，一用于与元器件电接触的铜电路层7固定于所述银浆焊接层6与连通孔4相背的表面。

上述氮化铝基片1和氧化铝基片2的厚度比为1：1.4。

实施例2：一种陶瓷电路基板，包括氮化铝基片1和氧化铝基片2，此氮化铝基片1的下表面和氧化铝基片2的上表面之间具有一金属图形层3，所述氮化铝基片1中具有若干个贯通其上、下表面的连通孔4，此连通孔4内填充有金属柱5；一银浆焊接层6覆盖于所述氮化铝基片1上表面并位于连通孔4正上方，一用于与元器件电接触的铜电路层7固定于所述银浆焊接层6与连通孔4相背的表面。

上述氮化铝基片1和氧化铝基片2的厚度比为1：1.3。

采用上述陶瓷电路基板时，其银浆焊接层覆盖于所述氮化铝基片上表面并位于连通孔正上方，一用于与元器件电接触的铜电路层固定于所述银浆焊接层与连通孔相背的表面，由于银浆未固化前流延性好，大大降了连接孔内的金属表面产生凹陷的几率，从而有效避免了空洞的产生，提高了产品的可靠性和良率；其次，陶瓷烧结体由氮化铝基片和氧化铝基片组成，此氮化铝基片的下表面和氧化铝基片的上表面之间具有一金属图形层，具有高品质因数，从而降低了高频损耗，且具有稳定的温度系数。

上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。