[实用新型]一种动作稳定可靠的薄膜开关有效

专利信息
申请号: 201320036486.5 申请日: 2013-01-21
公开(公告)号: CN203055740U 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 吴德文 申请(专利权)人: 厦门市三特兴电子有限公司
主分类号: H01H13/702 分类号: H01H13/702;H01H13/704
代理公司: 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 代理人: 刘辉;廉红果
地址: 361000 福建省厦门市*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 动作 稳定 可靠 薄膜开关
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及电子开关领域,具体地说是一种薄膜开关。

背景技术

现有的薄膜开关主要由三层结构组成,即上电路层、中间隔层和下电路层。其中,上电路层设有上触点;下电路层上设有与上触点相配合的下触点;中间隔层上开有与上、下触点相对应的的让位孔。在无外力作用时,通过中间隔层的隔离作用,上触点和下触点之间存在一定的间隙,二者处于不接触状态;施加外力作用时,上电路层发生弹性变形,上触点穿过让位孔后与下触点接触,电路导通,从而完成按键的动作。

由于上触点和下触点之间的间隙较小,即使在无外力作用时,也极有可能受外界温度、湿度等因素的影响,使上触点和下触点导通,造成误动作,增加了电器设备的安全隐患。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种薄膜开关,其在满足产品按键操作要求的前提下,增强了上、下触点的隔离效果,动作更加稳定可靠。

为实现上述目的,本实用新型采用以下技术方案:

一种动作稳定可靠的薄膜开关,包括上电路层、中间隔层及下电路层,所述上电路层设有上触点,所述下电路层上设有与所述上触点相配合的下触点,所述中间隔层上开有与所述上触点和下触点相对应的让位孔,在所述上触点和/或下触点的触点区域上还设有绝缘点。

优选地,所述上触点和下触点的触点区域上均设有绝缘点。

优选地,所述上触点上的绝缘点与所述下触点上的绝缘点错位配合。

优选地,所述上触点上的绝缘点数量为2个,所述下触点上的绝缘点数量为3个。

优选地,所述绝缘点的直径为0.3~0.5mm。

优选地,所述绝缘点采用绝缘油墨丝网印刷而成。

采用上述技术方案后,本实用新型与现有的背景技术相比,通过在薄膜开关的触点区域上增设绝缘点,使得上、下触点之间的隔离效果更好,有效避免了误动作的发生,使得薄膜开关的动作更加稳定可靠,提升了产品的安全系数。

附图说明

图1为本实用新型的薄膜开关结构示意图。 

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。

参见图1,本实用新型公开了一种动作稳定可靠的薄膜开关,其包括上电路层100、下电路层200、中间隔层300和绝缘点400。其中:

上电路层100设有上触点110,下电路层200上设有与上触点110相配合的下触点210,中间隔层300上开有与上触点110和下触点210相对应的让位孔310。

绝缘点400可设于上触点110的触点区域上,也可设于下触点210的触点区域上,还可以同时设于上触点110和下触点210的触点区域上。在本实施例中,上触点110和下触点210的触点区域上都设有绝缘点400。需要说明的是,这里提到的触点区域是指上触点110和下触点210相互接触的区域,即上触点110的下表面或下触点210的上表面。

上触点110上的绝缘点400与下触点210上的绝缘点400错位配合,在本实施例中,上触点110上的绝缘点400的数量为2个,下触点210上的绝缘点400的数量为3个,绝缘点400的直径为0.3~0.5mm。

为了起到电气隔离的作用,绝缘点400为绝缘材料制成,在本实施例中,绝缘点400采用绝缘油墨丝网印刷而成。

由于上电路层100具有一定弹性,当按压按键时,上电路层100发生弹性变形,特别是上电路层100与按键区域对应的位置发生弹性变形,上触点110上的绝缘点400抵靠在下触点210上,下触点210上绝缘点400抵靠在上触点110上,但此时的多个绝缘点400之间留有一定的空隙,上电路层100与该空隙正对的区域继续变形并向下凹陷,最终使上触点110与下触点210接触,形成电气回路,从而完成按键动作。

通过在触点区域上增设绝缘点400,增强了上触点110和下触点210之间的隔离效果,有效避免了误动作的发生,使得薄膜开关的动作更加稳定可靠,提升了产品的安全系数。

以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。

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