[实用新型]多标签多协议RFID读写器有效
申请号: | 201320030250.0 | 申请日: | 2013-01-21 |
公开(公告)号: | CN203102323U | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 唐皓 | 申请(专利权)人: | 成都摩宝网络科技有限公司 |
主分类号: | G06K17/00 | 分类号: | G06K17/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 标签 协议 rfid 读写 | ||
本实用新型涉及一种RFID读写器,特别是涉及一种多标签多协议RFID读写器。
射频识别RFID(Radio Frequency Identification)是一种非接触的自动识别技术。目前,RFID 技术还未形成统一的全球化标准,应用方面存在着多种标准协议并存的局面。现已经发布或者是正在制定中的标准主要是与数据采集相关的,其中包括电子标签(Tag)与读写器(Reader)之间的空气接口、读写器与计算机之间的数据交换协议、RFID 卷标与读写器的性能和一致性测试规范、以及RFID 卷标的数据内容编码标准等。读写器的硬件设计是RFID 系统中的关键部分之一,目前国内的RFID 研究集中在高频系统,在UHF 段或者微波段则较少人研究。
本实用新型的目的是为了解决上述问题而提供集多种不同协议标签读写功能于一体的多标签多协议RFID读写器。
本实用新型是通过以下技术方案实现的:
一种多标签多协议RFID读写器,包括RFID带基处理器、线性正交解调器、第一带通滤波器、第二带通滤波器、第三带通滤波器、第四带通滤波器、环形器、压控振荡器、线性正交调制器、衰减器、混合耦合器、频率合成器、RFID控制器、动态可编程模拟信号处理器和RFID检波器,所述RFID控制器的信号输出端与所述频率合成器的信号输入端和所述动态可编程模拟信号处理器的信号输入端连接,所述频率合成器的信号输出端与所述压控振荡器的信号输入端连接,所述压控振荡器的信号输出端与所述第二带通滤波器的信号输入端连接,所述第二带通滤波器的信号输出端分别与所述线性正交解调器的信号输入端和所述线性正交调制器的信号输入端连接,所述线性正交调制器的信号输出端与所述第三带通滤波器的信号输入端连接,所述第三带通滤波器的信号输出端与所述衰减器的信号输入端连接,所述衰减器的信号输出端与所述第四带通滤波器的信号输入端连接,所述第四带通滤波器的信号输出端与所述混合耦合器的信号输入端连接,所述混合耦合器的信号输出端与所述环形器的信号输入端连接,所述环形器的信号输出端与所述第一带通滤波器的信号输出端连接,所述第一带通滤波器的信号输出端与所述线性正交解调器的信号输入端连接,所述线性正交调解器的信号输出端与所述RFID基带处理器的信号输入端连接。
进一步地,所述RFID控制器为32 位的高性能ARM9 芯片。
进一步地,所述RFID控制器为32 位的高性能ARM9 芯片。
本实用新型的有益效果是:
本实用新型通过采用动态可编程模拟信号处理器,解决了利用相同的硬件平台、通过不同的软件编程配置来实现读写器可读写多种不同协议标签的技术难题。本实用新型具有性能稳定、可靠性高的优点。
图1是本实用新型多标签多协议RFID读写器的结构框图。
下面结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明:
如图1所示,本实用新型多标签多协议RFID读写器,包括RFID带基处理器、线性正交解调器、第一带通滤波器、第二带通滤波器、第三带通滤波器、第四带通滤波器、环形器、压控振荡器、线性正交调制器、衰减器、混合耦合器、频率合成器、RFID控制器、动态可编程模拟信号处理器和RFID检波器,所述RFID控制器的信号输出端与所述频率合成器的信号输入端和所述动态可编程模拟信号处理器的信号输入端连接,所述频率合成器的信号输出端与所述压控振荡器的信号输入端连接,所述压控振荡器的信号输出端与所述第二带通滤波器的信号输入端连接,所述第二带通滤波器的信号输出端分别与所述线性正交解调器的信号输入端和所述线性正交调制器的信号输入端连接,所述线性正交调制器的信号输出端与所述第三带通滤波器的信号输入端连接,所述第三带通滤波器的信号输出端与所述衰减器的信号输入端连接,所述衰减器的信号输出端与所述第四带通滤波器的信号输入端连接,所述第四带通滤波器的信号输出端与所述混合耦合器的信号输入端连接,所述混合耦合器的信号输出端与所述环形器的信号输入端连接,所述环形器的信号输出端与所述第一带通滤波器的信号输出端连接,所述第一带通滤波器的信号输出端与所述线性正交解调器的信号输入端连接,所述线性正交调解器的信号输出端与所述RFID基带处理器的信号输入端连接。
在本实施例中,所述RFID控制器为32 位的高性能ARM9 芯片。
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