[发明专利]一种用于办公会议的低功耗无线话筒在审

专利信息
申请号: 201310755123.1 申请日: 2013-12-30
公开(公告)号: CN103702261A 公开(公告)日: 2014-04-02
发明(设计)人: 张凌志 申请(专利权)人: 天津市非常易订科技有限公司
主分类号: H04R3/00 分类号: H04R3/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300000 天津市滨海新区*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 办公会议 功耗 无线 话筒
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种用于办公会议的无线话筒,尤其涉及一种用于办公会议的低功耗无线话筒。

背景技术

无线话筒因没有传输电缆的束服,可以自由移动,使用灵活方便而被广泛采用,无线话筒发射的无线电波可在空间自由传播,不受时间和地域的限制,无线话筒是在办公会议中必不可少的办公设备之一,使用传统无线话筒,易出现噪音大和音质差的问题,且传统的无线话筒还存在制作成本高、结构复杂和耗能高的问题。

发明内容

本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供一种用于办公会议的低功耗无线话筒。

为了达到上述目的,本发明采用了以下技术方案:

一种用于办公会议的低功耗无线话筒,包括电源、开关、天线、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、三极管、电感和驻极体话筒,所述电源的正极与所述开关的第一端连接,所述电源的负极分别与所述第六电阻的第一端和所述驻极体话筒的第一端连接,所述开关的第二端分别与所述第一电阻的第一端、所述第二电阻的第一端、所述电感的第一端和所述第三电阻的第一端连接,所述第一电阻的第二端与所述第二电容的第一端连接,所述第二电容的第二端分别与所述第一电容的第一端、所述第四电容的第一端、所述第六电阻的第二端、所述三极管的发射极、所述第三电容的第一端、所述第四电容的第二端、所述三极管的集电极和所述电感的第二端连接,所述第一电容的第二端与所述天线的信号发射端连接,所述第三电容的第二端与所述第二电阻的第二端连接,所述三极管的基极分别与所述第三电阻的第二端、所述第五电容的第一端和所述第六电容的第一端连接,所述第五电容的第二端与所述第四电阻的第一端连接,所述第四电阻的第二端分别与所述驻极体话筒的第二端和所述第五电阻的第一端连接,所述第五电阻的第二端与所述第六电容的第二端连接。

本发明的有益效果在于:

本发明为一种用于办公会议的低功耗无线话筒,该无线话筒声音中第五电阻和第六电容组成的高频阻容滤波器,第四电阻和第五电容组成的低频阻容滤波器,三极管具有正反馈放大作用,故该无线话筒不易出现噪音大和音质差的问题,该无线话筒还具有结构简单、制作成本低和耗能低的特点。

附图说明

图1 是本发明一种用于办公会议的低功耗无线话筒的电路图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步说明:

如图1所示,本发明一种用于办公会议的低功耗无线话筒,包括电源E、开关S、天线Y、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、三极管VT、电感L和驻极体话筒MIC,电源E的正极与开关S的第一端连接,电源E的负极分别与第六电阻R6的第一端和驻极体话筒MIC的第一端连接,开关S的第二端分别与第一电阻R1的第一端、第二电阻R2的第一端、电感L的第一端和第三电阻R3的第一端连接,第一电阻R1的第二端与第二电容C2的第一端连接,第二电容C2的第二端分别与第一电容C1的第一端、第四电容C4的第一端、第六电阻R6的第二端、三极管VT的发射极、第三电容C3的第一端、第四电容C4的第二端、三极管VT的集电极和电感L的第二端连接,第一电容C1的第二端与天线Y的信号发射端连接,第三电容C3的第二端与第二电阻R2的第二端连接,三极管VT的基极分别与第三电阻R3的第二端、第五电容C5的第一端和第六电容C6的第一端连接,第五电容C5的第二端与第四电阻R4的第一端连接,第四电阻R4的第二端分别与驻极体话筒MIC的第二端和第五电阻R5的第一端连接,第五电阻R5的第二端与第六电容C6的第二端连接。

本发明的工作原理如下所示:

声音通过驻极体话筒MIC后,经第五电阻R5和第六电容C6组成的高频阻容滤波器和第四电阻R4和第五电容C5组成的低频阻容滤波器后,耦合到三极管VT的基极,三极管VT具有正反馈放大作用,电感L、第三电容C3和第二电阻R2组成的高频振荡器产生的高频信号,经第四电容C4等效反馈到三极管VT的基极,两信号一同被三极管VT混频形成高频载波信号,经第一电容C1传输到天线Y,由天线向周围空间信号。

本发明的技术方案不限于上述具体实施例的限制,凡是根据本发明的技术方案做出的技术变形,均落入本发明的保护范围之内。

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