[发明专利]硅单晶片加工新工艺无效
申请号: | 201310742116.8 | 申请日: | 2013-12-30 |
公开(公告)号: | CN103639879A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 唐玉金;朱世法;杨雪林;李建霜;帅东清 | 申请(专利权)人: | 昆明云锗高新技术有限公司 |
主分类号: | B24B29/02 | 分类号: | B24B29/02 |
代理公司: | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人: | 和琳 |
地址: | 65000*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 加工 新工艺 | ||
技术领域
本发明属于硅单晶片加工工艺,尤其是一种硅红外光学镜片的加工工艺。
背景技术
硅是一种灰色、易碎、四价的非金属化学元素,是一种重要的半导体材料。地壳成分中27%是硅元素,其次是氧元素,硅是自然界中最丰富的元素之一。在石英、玛瑙、燧石、土壤、岩石和普通的滩石中都存在大量的硅元素。硅单晶片又称硅晶圆片,是由单晶硅锭加工而成的,通过专门的工艺可以在硅单晶片上刻蚀出数以百万计的晶体管,被广泛应用于集成电路的制造。
硅晶片的加工,主要是通过将单晶硅锭根据要求切割成片、铣磨成型,然后再通过研磨、抛光形成完工镜片。抛光过程主要是去除研磨过程中产生的微坑。抛光将使硅单晶片的表面形成像镜面一样,满足完工图纸的要求,抛光面必须没有任何微纹、划痕和残留损伤。为了满足该要求,硅单晶片在抛光过程中需要花费大量的人力物力。采用现有的古典低速抛光机进行抛光时,需要经过三道辅料的抛光,根据加工件的口径大小来决定时间,如:Φ50mm口径的工件需要15-18小时,Φ100mm口径的工件需要20小时以上,口径越大加工周期就越长,因此不能满足大批量生产的需求。
发明内容
本发明所要解决的就是硅单晶片抛光时间过长,不能满足生产需要的问题,提供一种硅单晶片抛光加工新工艺,大大缩短了抛光时间,且抛光质量能够满足需要。
本发明的硅单晶片加工新工艺,该工艺包括将毛坯件进行粗磨,之后进行抛光和镀膜,其特征在于抛光工序具体包括如下步骤:
(1)将粗磨后的硅单晶片用丸片进行铣磨,方法是用相同的半径模具表面均匀粘接丸片,由丸片铣磨硅镜片表面的粗糙度,控制面形;
(2)经丸片铣磨的硅单晶片在高速抛光机上进行抛光,模具与硅单晶片接触的一面设置聚氨酯磨片,由聚氨酯去除零件表面的划伤;
(3)经高速抛光机抛光的硅单晶片,在低速抛光机上进行抛光,对硅单晶片表面的面形进一步修复,形成符合规格要求的硅单晶片。
所述的丸片由金刚砂铸压而成,呈圆柱形或方形,粒度可根据加工件的需要而定。丸片在模具上的布置则根据丸片尺寸均匀布置,尽量避免铣磨死角。
采用本发明的抛光工艺,丸片铣磨的时间约为5-6min,在高速抛光机上抛光时间约为1-2h就可完工,采用本工艺加工,速度控制在每分钟1200转以上,至少缩短了原加工周期的50%,大大降低了抛光工序的人力成本,从而提高加工效率,节约生产成本。
附图说明
图1为本发明实例1丸片的结构示意图。
具体实施方式
实施例1:加工Φ50㎜的硅镜片,先将毛坯件进行粗磨,之后进行抛光和镀膜。抛光工序具体包括如下步骤:
(1)将粗磨后的硅单晶片用丸片进行铣磨,方法是用相同的半径模具表面均匀粘接丸片,丸片的粒度是302﹟砂丸片,丸片铣磨硅镜片表面的粗糙度,控制面形丸片铣磨时间3-5分钟。
(2)经丸片铣磨的硅单晶片在高速抛光机上进行抛光,模具与硅单晶片接触的一面设置聚氨酯磨片,由聚氨酯去除零件表面的划伤,聚氨酯厚度为0.8㎜,高抛机主轴转速控制在1200转/分钟。
(3)经高速抛光机抛光的硅单镜片在低速抛光机再进行抛光,对硅单镜片表面的面形进一步修复,形成符合规格要求的硅单镜片,低速抛光机摆轴转速50-100转/分钟。
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