[发明专利]温度检测校准电路及方法

权利要求书

1.一种温度检测校准电路，其特征在于，包括：

PTAT校准电压产生单元，用于生成校准用PTAT电压；

PTAT检测电压产生单元，用于生成检测用PTAT电压；

可调基准电压产生单元，用于依据逻辑控制单元提供的校准控制变量生成可校准基准电压；

逻辑选择单元，用于依据逻辑控制单元提供的状态位信号切换其与PTAT校准电压产生单元或PTAT检测电压产生单元的电性连接；

比较器，用于将所述逻辑选择单元提供的电压信号与可调基准电压产生单元提供的可校准基准电压进行比较，并将比较结果提供给逻辑控制单元；

逻辑控制单元，用于依据比较器提供的比较结果信息控制向逻辑选择单元进行状态位信号的提供以及控制向可调基准电压产生单元进行校准控制变量的提供。

2.如权利要求1所述的温度检测校准电路，其特征在于，所述可调基准电压产生单元用于依据逻辑控制单元提供的校准控制变量生成可校准的与温度无关的带隙基准电压V_BG或与工艺相关的PN结基准电压V_BE。

3.如权利要求2所述的温度检测校准电路，其特征在于，所述PTAT校准电压产生单元生成的校准用PTAT电压在校准温度点与所述可调基准电压产生单元生成的带隙基准电压V_BG或PN结基准电压V_BE相等；

以及，所述PTAT检测电压产生单元生成的检测用PTAT电压在检测温度点与所述可调基准电压产生单元生成的带隙基准电压V_BG或PN结基准电压V_BE相等。

4.如权利要求1所述的温度检测校准电路，其特征在于，当所述可调基准电压产生单元用于依据逻辑控制单元提供的校准控制变量生成可校准的与工艺相关的PN结基准电压V_BE时，所述可调基准电压产生单元包括：

一个第一PTAT电流源支路，其分别连接至一个第一电阻R3和一个第二电阻R2的一端，第一电阻R3的另一端连接至第一PNP晶体管T1的发射极，第一PNP晶体管T1的基极连接至一个第二PNP晶体管T2的发射极，第一PNP晶体管T1的集电极接地，第二电阻R2的另一端分别连接至比较器以及一个电阻可调的第三电阻R6的一端，第三电阻R6的另一端连接至第二PNP晶体管的发射极，第二PNP晶体管T2的基极以及集电极均接地，第二PNP晶体管T2的发射极与第一PNP晶体管T1的基极一同与一个第二PTAT电流源支路连接，所述第三电阻R6的电阻值在所述逻辑控制单元的控制下进行调整。

5.如权利要求1所述的温度检测校准电路，其特征在于，所述校准用PTAT电压以及检测用PTAT电压的温度系数的初始值可调整，以及，所述可调基准电压产生单元生成的可校准基准电压的初始值可调整。

6.一种温度检测校准方法，应用于如权利要求1所述的温度检测校准电路，其特征在于，包括：

校准步骤：

逻辑选择单元依据逻辑控制单元提供的校准状态位信号将其切换至与PTAT校准电压产生单元进行电性连接；

可调基准电压产生单元依据逻辑控制单元提供的校准控制变量生成可校准基准电压；

比较器将逻辑选择单元提供的电压信号与可调基准电压产生单元提供的可校准基准电压进行比较，并将比较结果提供给逻辑控制单元；

逻辑控制单元依据比较器提供的比较结果信息控制向逻辑选择单元进行状态位信号的提供以及控制向可调基准电压产生单元进行校准控制变量的提供；

检测步骤：

逻辑选择单元依据逻辑控制单元提供的检测状态位信号将其切换至与PTAT检测电压产生单元进行电性连接；

比较器将逻辑选择单元提供的电压信号与可调基准电压产生单元提供的经校准的电压信号进行比较，输出比较结果。

7.如权利要求6所述的温度检测校准方法，其特征在于，所述可调基准电压产生单元依据逻辑控制单元提供的校准控制变量生成可校准的与温度无关的带隙基准电压V_BG或与工艺相关的PN结基准电压V_BE。