[发明专利]反应腔室及等离子体加工设备

权利要求书

1.一种反应腔室，包括升降装置和设置在所述反应腔室内的承载部，所述承载部用于承载基片，所述升降装置用于驱动所述承载部上升或者下降，以带动所述基片上升或者下降，其特征在于，所述升降装置驱动所述承载部升降，以在冷却时带动位于所述承载部上的所述待冷却基片位于预设冷却位置，以及在加热时带动位于所述承载部上的所述待加热基片位于预设加热位置，以实现在加热和冷却时分别将待加热基片和待冷却基片放置在相同的承载部上；

还包括冷却单元和加热单元，所述冷却单元用于对位于所述预设冷却位置的所述待冷却基片进行冷却，所述加热单元用于对位于所述预设加热位置的所述待加热基片进行加热；

所述承载部包括沿所述基片的周向间隔设置的至少三个支撑条，每个所述支撑条的首端相互固定，且对应于所述基片的中心位置设置，每个所述支撑条的尾端沿所述基片的径向朝向所述基片的边缘位置延伸；并且

在所述冷却单元的上表面上还设置有与所述支撑条的数量和位置一一对应的凹槽，用以在所述待冷却基片位于所述冷却单元的上表面上时容纳所述支撑条。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述冷却单元为设置在所述反应腔室内的冷却基座，所述预设冷却位置为所述冷却基座的上表面，在所述冷却基座内设置有冷却管道，借助冷却介质在所述冷却管道流动对位于所述冷却基座上表面的所述待冷却基片冷却。

3.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述冷却单元为所述反应腔室的腔室底壁，所述预设冷却位置为所述腔室底壁的上表面，在所述腔室底壁内设置有冷却管道，借助冷却介质在所述冷却管道流动对位于所述腔室底壁上表面的所述待冷却基片冷却。

4.根据权利要求2或3所述的反应腔室，其特征在于，所述加热单元设置在所述反应腔室的顶部，所述预设加热位置为预设的位于所述加热单元正下方且位于所述冷却单元上表面正上方的位置，所述加热单元采用热辐射的方式对位于所述预设加热位置的所述待加热基片加热。

5.根据权利要求4所述的反应腔室，其特征在于，所述升降装置设置在所述冷却单元上表面的下方，用以驱动所述承载部上升或者下降，以在加热时将所述待加热基片位于所述预设加热位置，以及在冷却时将所述待冷却基片位于所述冷却单元的上表面上。

6.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述承载部还包括辅助件，所述辅助件的数量与所述支撑条的数量一一对应，且在每个所述支撑条的与所述基片的边缘区域相对应的部分设置有凹部，与之对应的所述辅助件设置在所述凹部内，且所述辅助件的边缘形成有自基片的下表面至上表面的凸起，且所述凸起位于所述基片的外周壁的外侧，用以限制所述基片。

7.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述升降装置包括升降轴和升降驱动单元，所述升降轴与每个所述支撑条的首端固定，且所述升降轴与所述升降驱动单元相连接；

所述升降驱动单元用于驱动所述升降轴升降，以带动所述至少三个所述支撑条同时升降。

8.一种等离子体加工设备，包括反应腔室，其特征在于，所述反应腔室采用权利要求1-7任意一项所述的反应腔室。