[发明专利]地震前兆现场汞气检测系统及其汞气检测方法

权利要求书

1.一种地震前兆现场汞气检测系统，其特征在于包括汞气检测装置(14)和检测电路(15)，汞气检测装置(14)包括设有气流通道(1)及与气流通道(1)连通的进气口(2)和出气口(3)的容器(4)，气流通道(1)中设有汞检测传感器(5)，所述的汞检测传感器(5)包括一微晶玻璃基片(51)，微晶玻璃基片(51)的正面设有一层铬膜层(52)，铬膜层(52)上覆盖有一层金膜层(53)，金膜层(53)朝向所述的气流通道(1)，金膜层(53)的左端和右端各有一个金焊盘(54)，金焊盘(54)和所述的检测电路(15)相连。

2.根据权利要求1所述的地震前兆现场汞气检测系统，其特征在于所述的汞检测传感器(5)的微晶玻璃基片(51)的背面设有一层镍铬膜层(55)，镍铬膜层(55)的左端和右端各有一个金焊盘(56)，金焊盘(56)连接一通电加热电路。

3.根据权利要求1或2所述的地震前兆现场汞气检测系统，其特征在于所述的气流通道(1)中设有汞参比传感器(6)，汞参比传感器(6)和所述的汞检测传感器(5)面对面安装在所述的气流通道(1)的顶面和底面，汞参比传感器(6)和所述的检测电路(15)相连。

4.根据权利要求3所述的地震前兆现场汞气检测系统，其特征在于所述的汞参比传感器(6)包括一微晶玻璃基片(61)，微晶玻璃基片(61)的正面设有一层铬膜层(62)，铬膜层(62)上覆盖有一层金膜层(63)，金膜层(63)的左端和右端各有一个金焊盘(64)，金膜层(63)和金焊盘(64)上覆盖有一层一氧化硅薄膜层(65)，金焊盘(64)和所述的检测电路(15)相连。

5.根据权利要求3所述的地震前兆现场汞气检测系统，其特征在于所述的检测电路(15)包括电阻R1、电阻R2、放大器(7)、单片机单元(8)和显示单元(9)，所述的汞检测传感器(5)的一端及所述的汞参比传感器(6)的一端均和直流电压V的正极相连，汞检测传感器(5)的另一端和电阻R1的一端相连，汞参比传感器(6)的另一端和电阻R2的一端相连，电阻R1的另一端及电阻R2的另一端均和直流电压V的负极相连，电阻R1与汞检测传感器(5)的并接点及电阻R2与汞参比传感器(6)的并接点分别和所述的放大器(7)的两个输入端相连，放大器(7)的输出端和单片机单元(8)的输入端相连，单片机单元(8)的输出端和所述的显示单元(9)相连。

6.根据权利要求1或2所述的地震前兆现场汞气检测系统，其特征在于包括净化器(10)、采样装置(11)和抽气泵(12)，净化器(10)的进口接空气载气(13)，净化器(10)的出口和采样装置(11)的出口连通并和所述的汞气检测装置(14)的进气口(2)相连，所述的抽气泵(12)的进口和所述的汞气检测装置(14)的出气口(3)相连。

7.一种如权利要求1所述的地震前兆现场汞气检测系统的汞气检测方法，其特征在于包括如下步骤：带有汞气的样品气体流入所述的汞气检测装置(14)的进气口(2)，流经所述的气流通道(1)，汞气被所述的汞检测传感器(5)的金膜层(53)吸收，金膜层(53)电阻增大，金膜层(53)的电阻变化信号输送给所述的检测电路(15)，经检测电路(15)处理，最后获得样品气体中汞气的含量值，样品气体中的其余气体从汞气检测装置(14)的出气口(3)排出。

8.根据权利要求7所述的汞气检测方法，其特征在于所述的汞检测传感器(5)的微晶玻璃基片(51)的背面设有一层镍铬膜层(55)，镍铬膜层(55)的左端和右端各有一个金焊盘(56)，金焊盘(56)连接一通电加热电路；所述的汞气检测方法包括如下步骤：当所述的汞检测传感器(5)完成一次汞气检测后，接通所述的通电加热电路，对所述的镍铬膜层(55)进行通电加热，以释放被所述的汞检测传感器(5)的金膜层(53)吸收的汞，使汞检测传感器(5)的金膜层(53)回到初始状态。

9.根据权利要求7或8所述的汞气检测方法，其特征在于所述的气流通道(1)中设有汞参比传感器(6)，所述的汞检测传感器(5)和汞参比传感器(6)面对面安装在所述的气流通道(1)的顶面和底面，汞参比传感器(6)和所述的检测电路(15)相连；所述的汞气检测方法包括如下步骤：带有汞气的样品气体流入所述的汞气检测装置(14)的进气口(2)，流经所述的气流通道(1)，所述的汞检测传感器(5)的金膜层(53)吸收样品气体中的汞气，金膜层(53)电阻增大，金膜层(53)的电阻变化信号输送给所述的检测电路(15)，所述的汞参比传感器(6)不会吸收样品气体中的汞气，但随着样品气体的温度变化汞参比传感器(6)输出的信号会发生变化，汞参比传感器(6)输出的信号也输送给所述的检测电路(15)，检测电路(15)根据接收到的汞检测传感器(5)的金膜层(53)的电阻变化信号及汞参比传感器(6)送来的信号进行处理，对由汞检测传感器(5)的金膜层(53)的电阻值增大而获得的样品气体中汞气的含量值进行温度补偿，最后获得消除温度影响的汞气含量值。