[发明专利]压电薄膜谐振器

权利要求书

1.一种压电薄膜谐振器，所述压电薄膜谐振器包括：

基板；

压电膜，所述压电膜设置在所述基板上，并且包括第一膜和第二膜，所述第一膜由含有添加元素的氮化铝膜制成，所述第二膜设置在所述第一膜的上表面和下表面上，并由以低于所述第一膜的浓度含有所述添加元素的氮化铝膜制成；和

下电极和上电极，所述上电极和下电极设置成夹持所述压电膜，

其中，所述第二膜中的一个、即第二膜a设置在所述下电极与所述第一膜之间，所述第二膜中的另一个、即第二膜b设置在所述上电极与所述第二膜之间，

所述下电极与所述第二膜a接触，且所述上电极与所述第二膜b接触，并且

所述第一膜的厚度大于所述第二膜a和所述第二膜b的厚度。

2.如权利要求1所述的压电薄膜谐振器，其中，

所述添加元素是二价元素和四价元素，或者二价元素和五价元素。

3.如权利要求2所述的压电薄膜谐振器，其中，

所述添加元素是钙和钛、钙和锆、钙和铪、镁和钛、镁和锆、镁和铪、锶和铪、锌和钛、锌和锆、或锌和铪的组合。

4.如权利要求2或3所述的压电薄膜谐振器，其中，

所述添加元素是二价元素和四价元素，当将所述第一膜中所述添加元素的原子数与所述氮化铝膜的铝原子数的总和定义为100原子％时，所述第一膜中所述添加元素的浓度为大于或等于3原子％且小于或等于30原子％。

5.如权利要求2所述的压电薄膜谐振器，其中，

所述添加元素是镁和钽、镁和铌、镁和钒、锌和钽、锌和铌、或锌和钒的组合。

6.如权利要求1～3中任一项所述的压电薄膜谐振器，其中，

所述第二膜由不含添加元素的氮化铝膜制成。