[发明专利]一种调整终端上行发射功率的方法及设备

说明书

本发明实施例提供了一种调整终端上行发射功率的方法及设备，用以在抑制上行干扰的同时，解决上行发射功率和上行干扰水平相互攀升的问题。该方法包括：接收各个小区发送的第一类干扰相关参数和第二类干扰相关参数；根据各个小区的第一类干扰相关参数，确定受到上行干扰的问题小区；根据各个小区的第二类干扰相关参数，确定对所述问题小区产生上行干扰的干扰产生小区；对于每一问题小区，通知对该问题小区产生上行干扰的干扰产生小区降低终端上行发射功率；和/或，当确定该问题小区不是对其它问题小区产生干扰的干扰产生小区时，通知该问题小区提高终端上行发射功率。

技术领域

本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种调整终端上行发射功率的方法及设备。

背景技术

长期演进(Long Term Evolved,LTE)的上行信道采用单载波频分复用(SingleCarrier-Frequency Division Multiple Access,SC-FDMA)技术，保证了小区内终端上行信号的正交性，小区内终端之间没有上行干扰，但不同小区的终端之间会存在上行干扰。为保证一定的上行接收质量，同时避免对邻区产生过强干扰，需要对终端的上行发射功率进行控制。

具体的，基站通过给终端配置开环功率控制参数P0和alpha，进行上行开环功率控制。在开环功率控制的基础上，基站还可以设置动态功率控制目标值SINR_target，实现对终端进行上行闭环功率控制。

如图1所示的场景，A、B、C小区交界处的边缘终端数量或比例较高（高于网络平均水平），对各小区的上行传输产生较大干扰。以B为例，其上行干扰增加，上行干扰水平的指标IoT(Interference over Thermal,干扰热噪声比)抬升。仅依赖开环功率控制时，若开环功率控制参数P0和alpha保持不变，B的终端仍保持原有发射功率不变，导致上行接收的信号与干扰和噪声比(Signal to Interference plus Noise Ratio,SINR)下降，B小区的上行性能下降。在一定的动态功率控制目标值SINR_target下，通过闭环功率控制可提高终端发射功率，使B小区的上行性能维持在一个预先设定的水平。但这种情况下，B的边缘终端因闭环功率控制而加大上行发射功率，会加大对其邻区（A和C小区）的上行干扰。A和C继而因上行干扰水平抬升而提高其边缘终端的上行发射功率，形成A、B、C小区的上行发射功率和上行干扰水平相互攀升的问题。最终边缘终端即使达到最大上行发射功率，仍会因干扰水平过高而得到较差的业务质量。此外，问题小区A、B、C的边缘终端的上行发射功率加大，还会传导到其他邻区，如D小区，引起连锁反应，使多个小区的上行性能下降。

上述现象除因小区边缘终端数较多引起之外，还可能由某一个或几个小区的异系统的干扰异常引起。例如，A小区存在小灵通系统或时分同步码分多址接入(Time DivisionSynchronized Code Division Multiple Access,TD-SCDMA)系统的杂散、互调、二次谐波等异系统干扰，会使A小区的上行干扰水平高于其他小区，进而引发上行发射功率和上行干扰水平相互攀升的问题。

如何在进行上行功率控制以抑制上行干扰的同时，解决上行发射功率和上行干扰水平相互攀升的问题，现有技术还没有给出解决方案。

发明内容

本发明实施例提供了一种调整终端上行发射功率的方法及设备，用以在抑制上行干扰的同时，解决上行发射功率和上行干扰水平相互攀升的问题。

本发明实施例提供的一种调整终端上行发射功率的方法包括：

接收各个小区发送的第一类干扰相关参数和第二类干扰相关参数；

根据各个小区的第一类干扰相关参数，确定受到上行干扰的问题小区；

根据各个小区的第二类干扰相关参数，确定对所述问题小区产生上行干扰的干扰产生小区；