[发明专利]一种掺铝氧化锌纳米杆阵列结构低温合成的方法有效
| 申请号: | 201310682603.X | 申请日: | 2013-12-16 |
| 公开(公告)号: | CN103641154A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
| 发明(设计)人: | 李保家;黄立静;周明;任乃飞 | 申请(专利权)人: | 江苏大学 |
| 主分类号: | C01G9/02 | 分类号: | C01G9/02;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
| 地址: | 212013 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 氧化锌 纳米 阵列 结构 低温 合成 方法 | ||
1.一种掺铝氧化锌纳米杆阵列结构低温合成的方法,其特征在于具体步骤如下:在称量瓶中配制体积分数为5~20%的甲酰胺水溶液,将两片长方形锌箔保持距离隔开垂直浸入溶液中,将镀有缓冲层薄膜的衬底镀膜面朝下放置在两锌箔的顶部即可保持稳定,并将铝箔放置于溶液底部,再用玻璃盖倾斜盖住称量瓶口,置于50~90℃的烘箱里反应4~20小时,取出衬底,用去离子水、乙醇和丙酮清洗干净并干燥后即可。
2.如权利要求1所述的一种掺铝氧化锌纳米杆阵列结构低温合成的方法,其特征在于:锌箔高度为5~15 mm,即锌箔垂直的一边长度为5~15 mm,锌箔高度决定了衬底在溶液中的高度;当锌箔高度或者说衬底在溶液中的高度增大时,所合成的掺铝氧化锌纳米杆的直径和长度均逐渐减小,直至变化趋于平缓;掺铝氧化锌纳米杆的直径和长度分别为0.20-0.76μm和2.4μm -4.5μm。
3.如权利要求1所述的一种掺铝氧化锌纳米杆阵列结构低温合成的方法,其特征在于:缓冲层薄膜厚度为10~800 nm。
4.如权利要求1所述的一种掺铝氧化锌纳米杆阵列结构低温合成的方法,其特征在于:所采用的甲酰胺为分析纯商品化试剂CH3NO,所采用的水为纯净水、去离子水或蒸馏水。
5.如权利要求1所述的一种掺铝氧化锌纳米杆阵列结构低温合成的方法,其特征在于:锌箔保持距离的标准为能保证衬底稳定放置在两锌箔的顶部。
6.如权利要求1所述的一种掺铝氧化锌纳米杆阵列结构低温合成的方法,其特征在于:所采用的缓冲层薄膜通过现有镀膜技术沉积于衬底材料上,所述镀膜技术为化学气相沉积法、溶胶-凝胶法、喷涂热分解法、磁控溅射法、真空蒸镀法或脉冲激光沉积法,其作用是有效降低晶核和基底之间的界面能,从而降低成核势垒,促进氧化锌纳米杆阵列结构的形成;所述缓冲层薄膜为Ag膜、Al膜、Au膜、ZnO膜、AZO膜、ITO膜、FTO膜或TiO2膜,所述衬底材料为硅、玻璃或不锈钢。
7.如权利要求1所述的一种掺铝氧化锌纳米杆阵列结构低温合成的方法,其特征在于:玻璃盖倾斜盖住称量瓶口是指将玻璃盖斜靠在称量瓶瓶口,既可阻止污染物进入,又可保证有足够的空气进入瓶中参与反应。
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