[发明专利]一种电池保护电路及其内的电压保护电路有效

专利信息
申请号: 201310632682.3 申请日: 2013-11-29
公开(公告)号: CN103647259A 公开(公告)日: 2014-03-19
发明(设计)人: 常星;田文博;王钊 申请(专利权)人: 无锡中星微电子有限公司
主分类号: H02H7/18 分类号: H02H7/18
代理公司: 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 代理人: 戴薇
地址: 214028 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 电池 保护 电路 其内 电压
【说明书】:

【技术领域】

发明涉及电路设计领域,特别涉及一种电池保护电路及其内的电压保护电路。

【背景技术】

电池保护电路通常被安装在电池内,例如,在手机电池内部有一块很小的印刷电路板(Printed Circuit Board,简称PCB),电池保护电路就安装在此印刷电路板上。电池保护电路用于对电池进行充放电控制,其基本功能包括过电压充电保护、过电压放电保护、放电过流保护、充电过流保护和短路保护。

请参考图1所示,其为现有技术中的一种电池保护系统的示意图。所述电池保护系统包括电池保护芯片(或称电池保护电路)110和开关组合电路120。

所述电池保护系统的第一电源端BP+与电芯Battery的正极相连,所述电池保护系统的第二电源端BP-通过开关组合电路120与电芯Battery的负极相连。当负载电阻(未示出)连接于第一电源端BP+和第二电源端BP-之间时,所述电芯Battery处于放电状态;当电池充电器(未示出)正接于第一电源端BP+和第二电源端BP-之间时,所述电芯Battery处于充电状态。

所述开关组合电路120包括第一NMOS(N-Channel Metal Oxide Semiconductor)晶体管MN1和第二NMOS晶体管MN2。所述第一NMOS晶体管MN1的源极与所述电芯Battery的负极相连,其漏极与所述第二NMOS晶体管MN2的漏极相连,所述第二NMOS晶体管MN2的源极与所述第二电源端BP-相连,且在NMOS晶体管MN1中寄生有二极管(未示出),在NMOS晶体管MN2中寄生有二极管(未示出)。

所述电池保护电路110包括三个检测端(或称为连接端)和两个控制端。三个检测端分别为第一检测端VDD、第二检测端VSS和第三检测端VM,两个控制端分别为充电控制端COUT和放电控制端DOUT。其中,第一检测端VDD与电芯Battery的正极相连,第二检测端VSS与电芯Battery的负极相连,第三检测端VM与所述第二电源端BP-相连,充电控制端COUT与NMOS晶体管MN2的栅极相连,放电控制端DOUT与NMOS晶体管MN1的栅极相连。所述电池保护电路110基于第一检测端VDD、第二检测端VSS和第三检测端VM的电压对电芯BAT的充放电回路进行检测,以通过所述充电控制端COUT输出充电控制信号,通过所述放电控制端DOUT输出放电控制信号。当所述电池保护电路110检测到所述电芯BAT充电异常时,其充电控制端COUT输出的充电控制信号为低电平(其为充电保护信号),使NMOS晶体管MN2关断,以切断电芯BAT的充电回路,从而实现禁止充电;当所述电池保护电路110检测到所述电芯BAT放电异常时,其放电控制端DOUT输出的放电控制信号为低电平(其为放电保护信号),使NMOS晶体管MN1关断,以切断电芯BAT的放电回路,从而实现禁止放电。

请参考图2所示,其为图1中的电池保护电路在现有技术中的电压保护电路的示意图。所述电压保护电路包括:依次串联在第一电源端VDD和第二电源端GND之间的电阻R1、R2和R3、过放比较器CMP1和过充比较器CMP2。过放比较器CMP1的正相输入端连接一参考电压REF,过充比较器的负相输入端连接所述参考电压REF,过放比较器的负相输入端连接至电阻R1和R2的中间节点,过充比较器的正相输入端连接至电阻R2和R3的中间节点。

比较器CMP1、CMP2分别用于检测充电过压和放电过压(以下简称OC、OD),R1、R2、R3为电源电压VDD相对地GND的分压电阻,相互匹配且有

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