[发明专利]电池的充电电路在审

专利信息
申请号: 201310631906.9 申请日: 2013-11-29
公开(公告)号: CN104682470A 公开(公告)日: 2015-06-03
发明(设计)人: 张富强 申请(专利权)人: 展讯通信(上海)有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 吴靖靓;骆苏华
地址: 201203 上海市浦东新区浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电池 充电 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种电池的充电电路。

背景技术

现代电子产品日趋便携化、智能化,因此也对它们的供电电池提出了轻便、高效的要求。充电电池是充电次数有限的可充电的电池,具有经济和环保等优点,锂离子电池因其优异的性能正逐渐成为现代电子产品的标准电池。

电子设备通常设置有充电电路,用来管理适配器和充电电池之间的充电。充电过程大致分为恒流阶段和恒压阶段,为了实现恒流充电过程,充电电路需要对充电电流进行采样,所以设置有采样电阻,通过对采样电阻两端的电压采样,可以获得充电电流的电流值。

随着电子器件高度集成化的发展,充电电路大部分集成在芯片内。充电电路中的采样电阻的电阻值很小,大概在0.2欧左右,这导致poly电阻实现的采样电阻面积很大,使得电池的充电电路面积大,集成后的芯片体积大。

发明内容

本发明解决的问题是现有电池的充电电路的面积大。

为解决上述问题,本发明提供一种电池的充电电路,包括充电控制电路,所述充电控制电路包括:电流电压控制端、防倒灌控制端、第一采样端和第二采样端,所述电池的充电电路还包括:第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管和采样电阻;

所述第一PMOS晶体管的源极连接衬底并适于输入充电电压,栅极连接所述第二PMOS晶体管的栅极和所述电流电压控制端,漏极连接所述第三PMOS晶体管的漏极;

所述第二PMOS晶体管的源极连接衬底并适于输入所述充电电压,漏极连接所述采样电阻的第一端和所述第一采样端;

所述第三PMOS晶体管的栅极连接所述防倒灌控制端,源极连接衬底、所述第二采样端、所述采样电阻的第二端和所述电池;

所述第一PMOS晶体管的尺寸大于所述第二PMOS晶体管的尺寸。

可选的,所述第一PMOS晶体管的尺寸是所述第二PMOS晶体管的尺寸的2至2000倍。

可选的,所述充电电压为5-9V。

可选的,还包括:二极管,所述第二PMOS晶体管的漏极通过所述二极管连接所述采样电阻的第一端和所述第一采样端。

可选的,所述电池的充电电路还包括:第四PMOS管,所述第二PMOS晶体管的漏极通过所述第四PMOS管连接所述采样电阻的第一端和所述第一采样端,所述第四PMOS管的栅极连接所述第三PMOS晶体管的栅极。

可选的,所述充电控制电路还包括:防倒灌控制电路、电流控制环路、电压控制环路、第一电阻和第二电阻,所述防倒灌控制电路连接所述防倒灌控制端,所述电流控制环路的第一输入端连接所述第一采样端,所述电流控制环路的第二输入端连接所述第二采样端和第一电阻的第一端,所述电流控制环路的输出端连接所述电流电压控制端,所述电压控制环路的第一输入端适于输入基准电压,所述电压控制环路的第二输入端连接所述第一电阻的第二端和第二电阻的第一端,所述电压控制环路的输出端连接所述电流电压控制端,所述第二电阻的第二端接地。

与现有技术相比,本发明技术方案中的第一PMOS晶体管的尺寸大于第二PMOS晶体管的尺寸,在采样电阻两端的电压值不变的情况下,减小了流过采样电阻的电流值,所以采样电阻可以采用较大电阻值的电阻实现,减小了采样电阻所占的面积,从而减小了充电电路的面积。

附图说明

图1是本发明实施例的电池的充电电路的一结构示意图;

图2是本发明实施例的充电控制电路的一结构示意图;

图3是本发明实施例的电池的充电电路的另一结构示意图;

图4是本发明实施例的电池的充电电路的又一结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

如图1所示,本发明实施例提供一种电池的充电电路,所述充电电路包括:充电控制电路1、第一PMOS晶体管MP1、第二PMOS晶体管MP2、第三PMOS晶体管MP3和采样电阻Rs。

充电控制电路1包括:电流电压控制端C1、防倒灌控制端C2、第一采样端S1和第二采样端S2。

第一PMOS晶体管MP1的源极连接第一PMOS晶体管MP1的衬底并适于输入充电电压VBUS。第一PMOS晶体管MP1的栅极连接所述第二PMOS晶体管MP2的栅极和电流电压控制端C1。第一PMOS晶体管MP1的漏极连接第三PMOS晶体管MP3的漏极。

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