[发明专利]等离子体发生装置

权利要求书

1.一种等离子体发生装置，所述等离子体发生装置，具备：

围绕流路而形成的环形的低电介质层；

夹设所述低电介质层的同时，围绕所述流路而形成的第一电极及第二电极；

在所述第一电极和第二电极中的至少一个与所述低电介质层之间，围绕所述流路而形成的环形的高电介质层。

2.根据权利要求1所述的等离子体发生装置，其中，

具有绝缘基板，该绝缘基板具有形成所述流路的流路形成孔，

在所述流路形成孔的内侧周围面形成所述低电介质层及所述高电介质层。

3.根据权利要求2所述的等离子体发生装置，其中，

在所述绝缘基板的所述流路形成孔的一侧的开口边缘具有环形的第一电极；

在所述绝缘基板的所述流路形成孔的另一侧的开口边缘具有环形的第二电极。

4.根据权利要求2或3所述的等离子体发生装置，其中，在形成于所述流路形成孔的几乎整个内侧周围面的高电介质层，沿着周向形成凹槽而形成所述低电介质层。

5.根据权利要求2或3所述的等离子体发生装置，其中，在形成于所述流路形成孔的几乎整个内侧周围面的高电介质层，沿着周向形成凹槽，并在该凹槽设置低电介质材料而形成所述低电介质层。

6.根据权利要求4所述的等离子体发生装置，其中，所述凹槽的剖面形状为四边形、梯形或半圆形。

7.根据权利要求5所述的等离子体发生装置，其中，所述凹槽的剖面形状为四边形、梯形或半圆形。

8.根据权利要求4所述的等离子体发生装置，其中，在所述凹槽的内表面形成有凹凸。

9.根据权利要求5所述的等离子体发生装置，其中，在所述凹槽的内表面形成有凹凸。

10.根据权利要求6所述的等离子体发生装置，其中，在所述凹槽的内表面形成有凹凸。

11.根据权利要求7所述的等离子体发生装置，其中，在所述凹槽的内表面形成有凹凸。

12.根据权利要求1所述的等离子体发生装置，其中，

所述第一电极和所述第二电极中的一个，由具有形成所述流路的流路形成孔的导体基板构成；

所述低电介质层、高电介质层、及所述第一电极和所述第二电极中的另一个被设置为与所述导体基板的流路形成孔连通。

13.一种等离子体发生装置，所述等离子体发生装置，具备：

支撑体，由向一个方向延伸的低介电常数材料构成；

第一高电介质层，在沿着所述支撑体的延伸方向延伸的一对向面侧沿着延伸方向而形成；

第二高电介质层，在沿着所述支撑体的延伸方向延伸的其他对向面侧沿着延伸方向而形成；

低电介质层，形成于所述第一高电介质层与所述第二高电介质层之间；

第一电极，接触所述第一高电介质层而形成；

第二电极，接触所述第二高电介质层而形成。

14.根据权利要求13所述的等离子体发生装置，其中，具有在所述支撑体设有所述第一高电介质层、所述第二高电介质层、所述低电介质层、所述第一电极及所述第二电极的多个线型构造体。

15.根据权利要求14所述的等离子体发生装置，其中，编织有所述多个线型构造体。

16.根据权利要求13所述的等离子体发生装置，其中，

具有在所述支撑体设有所述第一高电介质层、所述第二高电介质层、所述低电介质层、所述第一电极及所述第二电极的线型构造体；

通过弯曲或曲折所述线型构造体而配置在所定区域。

17.一种等离子体发生装置，所述等离子体发生装置，具备：

沿着一个方向延伸的绝缘构件；

在所述绝缘构件的外表面沿着延伸方向形成的低电介质层；

夹设所述低电介质层的同时，沿着延伸方向形成的第一电极及第二电极；在所述第一电极和所述第二电极中的至少一个与所述低电介质层之间，沿着延伸方向形成的高电介质层。