[发明专利]中心波长4580nm的一氧化氮气体检测滤光片有效
申请号: | 201310631445.5 | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN103713344A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 吕晶;王继平;刘晶 | 申请(专利权)人: | 杭州麦乐克电子科技有限公司 |
主分类号: | G02B5/20 | 分类号: | G02B5/20 |
代理公司: | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人: | 周豪靖 |
地址: | 311188 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 中心 波长 4580 nm 一氧化氮 气体 检测 滤光 | ||
技术领域
本发明涉及一氧化氮气体检测滤光片领域,尤其是中心波长4580nm的一氧化氮气体检测滤光片。
背景技术
在自然界,任何物体在绝对零度(-273度)以上,都有红外谱线发出,而每种物质都有其特殊的发射或吸收特征峰。带通红外滤光片过滤、截止可见光同时允许特定的红外线通过。利用带通红外滤光片的这种允许物体的特征红外谱线透过的特性,可以探测出特定物质的存在,广泛应用于安防、环保、工业、科研等。带通红外滤光片的质量直接影响探测的精度和灵敏度。目前的NO红外光学分析仪器应用广泛,检测气体含量具体有实时、连续和可靠的特点,但是目标气体中通过NO含量低,红外特征吸收峰值较弱,检测困难,因此目前国内较多采用化学法和薄膜热敏探测法,存在检测器寿命短或成本高等问题,因此既要降低成本,又要提高探测精度在NO红外光学分析仪器中已经相当重要。就目前用于NO探测中的滤光片,检测精度不高、透过率和信噪比低,精度差,有时候出现误测的现象,不能满足市场发展的需要。
发明内容
本发明的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种测试精度高、能极大提高信噪比的中心波长4580nm的一氧化氮气体检测滤光片。
为了达到上述目的,本发明所设计的中心波长4580nm的一氧化氮气体检测滤光片,包括以蓝宝石为原材料的基板,以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层,且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间,所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有:65nm厚度的Ge层、216nm厚度的SiO层、139nm厚度的Ge层、292nm厚度的SiO层、81nm厚度的Ge层、300nm厚度的SiO层、145nm厚度的Ge层、114nm厚度的SiO层、134nm厚度的Ge层、454nm厚度的SiO层、113nm厚度的Ge层、220nm厚度的SiO层、208nm厚度的Ge层、198nm厚度的SiO层、113nm厚度的Ge层、567nm厚度的SiO层、206nm厚度的Ge层、248nm厚度的SiO层、222nm厚度的Ge层、452nm厚度的SiO 层、256nm厚度的Ge层、282nm厚度的SiO层、119nm厚度的Ge层、635nm厚度的SiO层、293nm厚度的Ge层、1264nm厚度的SiO层、273nm厚度的Ge层、1109nm厚度的SiO层、414nm厚度的Ge层和526nm厚度的SiO层;所述第二镀膜层由内向外依次排列包含有:279nm厚度的Ge层、646nm厚度的SiO层、279nm厚度的Ge层、1292nm厚度的SiO层、279nm厚度的Ge层、646nm厚度的SiO层、279nm厚度的Ge层、646nm厚度的SiO层、279nm厚度的Ge层、2583nm厚度的SiO层、409nm厚度的Ge层、400nm厚度的SiO层、155nm厚度的Ge层和1096nm厚度的SiO层。
上述各材料对应的厚度,其允许在公差范围内变化,其变化的范围属于本专利保护的范围,为等同关系。通常厚度的公差在10nm左右。
本发明所得到的中心波长4580nm的一氧化氮气体检测滤光片,其中心波长4580±40nm,其在航空尾气气体检测过程中,可大大的提高信噪比,提高测试精准度。该滤光片的峰值透过率Tp≥80%、带宽=140±20nm,400~12000nm(除通带外),Tavg<0.5%。
附图说明
图1是实施例整体结构示意图;
图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。
具体实施方式
下面通过实施例结合附图对本发明作进一步的描述。
实施例1:
如图1、图2所示,本实施例描述的中心波长4580nm的一氧化氮气体检测滤光片,包括以蓝宝石为原材料的基板2,以Ge、SiO为第一镀膜层1和以Ge、SiO为第二镀膜层3,且所述基板2位于第一镀膜层1和第二镀膜层3之间,所述第一镀膜层1由内向外依次排列包含有:65nm厚度的Ge层、216nm厚度的SiO层、139nm厚度的Ge层、292nm厚度的SiO层、81nm厚度的Ge层、300nm厚度的SiO层、145nm厚度的Ge层、114nm厚度的SiO层、134nm厚度的Ge层、454nm厚度的SiO层、113nm厚度的Ge层、220nm厚度的SiO层、208nm厚度的Ge层、198nm厚度的SiO层、113nm厚度的Ge层、567nm厚度的SiO层、206nm厚度的Ge层、248nm厚度的SiO层、222nm厚度的Ge层、452nm厚度的SiO层、256nm厚度的Ge层、282nm厚度的SiO层、119nm厚度的Ge层、635nm厚度的SiO层、293nm厚度的Ge层、1264nm厚度的SiO层、273nm厚度的Ge层、1109nm 厚度的SiO层、414nm厚度的Ge层和526nm厚度的SiO层;所述第二镀膜层3由内向外依次排列包含有:279nm厚度的Ge层、646nm厚度的SiO层、279nm厚度的Ge层、1292nm厚度的SiO层、279nm厚度的Ge层、646nm厚度的SiO层、279nm厚度的Ge层、646nm厚度的SiO层、279nm厚度的Ge层、2583nm厚度的SiO层、409nm厚度的Ge层、400nm厚度的SiO层、155nm厚度的Ge层和1096nm厚度的SiO层。
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