[发明专利]发声器件有效
申请号: | 201310629000.3 | 申请日: | 2013-11-28 |
公开(公告)号: | CN103686551B | 公开(公告)日: | 2017-09-29 |
发明(设计)人: | 陈钢;张志兵 | 申请(专利权)人: | 歌尔股份有限公司 |
主分类号: | H04R9/02 | 分类号: | H04R9/02;H04R9/06 |
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地址: | 261031 山东省潍*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发声 器件 | ||
技术领域
本发明涉及电声产品技术领域,特别涉及一种发声器件。
背景技术
现有技术中,发声器件包括振动系统,磁路系统,以及收容固定振动系统和磁路系统的外壳;所述振动系统包括振膜和结合于振膜一侧的音圈,所述磁路系统包括依次结合的磁铁和盆架,盆架包括底壁和侧壁,磁铁结合于盆架的底壁上。传统结构发声器件的盆架与外壳通常是通过涂胶粘结的方式固定结合的,这种通过胶体使盆架和外壳固定结合的方式胶体固化的时间较长,对温度和湿度要求较为敏感,容易结合不牢固而产生不良。而且这种结合方式通常是盆架侧壁与外壳侧壁之间的结合,这种结合方式外壳侧壁也需要占用空间,不利于增大磁路系统的体积,从而不利于提高产品的磁性能。因此,有必要对这种结构的发声器件进行改进,以避免上述缺陷。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种发声器件,可以使外壳和盆架牢固的结合为一体,提高产品的稳定性,并且可以增大磁路系统的体积,提高产品的磁性能。
为解决上述技术问题,本发明的技术方案是:一种发声器件,包括振动系统,磁路系统,以及收容固定所述振动系统和所述磁路系统的外壳;所述磁路系统包括磁铁和与所述磁铁固定结合的盆架,所述盆架包括底壁和侧壁,其中,所述盆架与所述外壳卡扣结合,所述盆架侧壁的上侧端部设有卡榫,所述外壳上对应于所述卡榫的位置设有与所述卡榫配合的卡扣位;所述外壳上对应于所述盆架侧壁的位置设有去料形成的避让所述盆架侧壁的避让结构。
此外,优选的方案是,所述外壳包括矩形环状的外壳本体部,以及位于所述矩形环状外壳本体部下侧角部的四个支撑臂,所述支撑臂向远离振膜的方向延伸;所述支撑臂之间的空间形成避让所述盆架侧壁的避让结构。
此外,优选的方案是,所述卡榫的上端部为水平向两侧延伸的凸起结构,凸起结构的下侧为内凹的内凹结构;所述支撑臂靠近所述卡榫的一侧设有向靠近卡榫一侧凸起的所述卡扣位,卡榫与所述卡扣位卡扣结合后凸起结构位于所述卡扣位的上侧,卡扣位位于所述内凹结构中。
此外,优选的方案是,所述卡榫的上侧角部与所述卡扣位的下侧角部均设有去料形成的弧形结构的导向部。
此外,优选的方案是,所述盆架底壁为矩形结构,所述盆架侧壁沿所述盆架底壁四条边的边缘延伸形成,四个所述盆架侧壁之间具有间隙;其中一组或两组相对的盆架侧壁的端部设有所述卡扣端。
采用上述技术方案后,与传统结构相比,本发明在盆架的侧壁上设置卡榫,在外壳上与卡榫相对应的位置设置卡扣位,盆架与外壳通过卡扣的方式固定结合,使外壳与盆架牢固的结合为一体,从而提高了产品的稳定性;此外,由于外壳对应于盆架侧壁的位置设有去料形成的避让结构,从而可以增大磁路系统的体积,提高产品的磁性能。
附图说明
通过下面结合附图对本发明进行描述,本发明的上述特征和技术优点将会变得更加清楚和容易理解。
图1是本发明发声器件的立体分解结构示意图一;
图2是本发明发声器件的立体分解结构示意图二;
图3是本发明发声器件的立体结构示意图;
图4是图3所述发声器件的一侧视图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步详细的描述。
如图1至图4所示,发声器件包括振动系统、磁路系统和收容固定振动系统、磁路系统的外壳1。其中振动系统包括振膜21和结合于振膜21一侧的音圈22;磁路系统包括依次结合的华司31、磁铁32和盆架33,盆架33包括侧壁和底壁330,华司31和磁铁32结合于盆架33的底壁上。音圈22与终端电子装置的外部电路电连接,由外部电路控制音圈22的工作状态,音圈22接通电信号后,在磁路系统形成的磁间隙中受力上下振动,进一步带动振膜21振动从而产生声音。本发明发声器件可以为扬声器单体也可以为扬声器模组,外壳1可以为单体的外壳,也可以为模组中与盆架33固定结合的外壳,均在本发明的保护范围内。
本发明盆架33为矩形结构,包括底壁330和位于矩形底壁330的四个边上的四个侧壁:位于相对的两长轴边上的长轴侧壁331和位于相对的两短轴边上的短轴侧壁332。其中长轴侧壁331和短轴侧壁332均为垂直于底壁330的结构,底壁330和四个侧壁连接的位置设有倒角结构。外壳1包括矩形结构的外壳本体部10,外壳本体部10为矩形的环状结构,其上侧面与振膜21的下侧边缘结合;外壳本体部10的下侧的四个角部还设有四个支撑臂11,支撑臂11向靠近盆架33的一侧(即远离振膜21的一侧)延伸。
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