[发明专利]一种多个单组件SiC灭磁电阻并联后能容量计算方法

权利要求书

1.一种多个单组件SiC灭磁电阻并联后能容量计算方法，其步骤如下：1)选择需要进行实际可用能容量计算的由多个单组件SiC灭磁电阻并联组成的多组件，根据该类型单组件SiC灭磁电阻的设计参数，获取所述单组件的标称额定能容量、设计温度上限值和给定注入能容量下的理论温升；

2)通过控制电压和电流并实时计算功率积分的方式，向单组件注入80%标称额定能容量，使其吸收能量后温度上升；再使用红外成像仪监测单组件表面温度上升过程达到顶值时，进行三向红外成像，保证单组件表面测温的全面性和同时性，根据三向红外成像数据和测试前的单组件初始表面温度，计算单组件表面温度的平均温升、最高温升和均温系数；

3)根据单组件的设计参数、均温系数和运行环境温度计算单组件实际允许注入能量限值；

4)多组件的能量注入均能试验：多组件注入设定的能量，再基于各个单组件能量注入过程中的电压、电流计算相应单组件实际吸收的能量数据，计算各个单组件吸收的能量在多组件吸收的总能量中的占比，即吸收能量占比；

5)根据单组件的实际允许注入能量限值和该单组件在多组件能量注入均能试验中的吸收能量占比，来计算由该单组件能量限值决定的整组总允许吸收能量值，再取各单组件决定的整组总允许吸收能量值的最小值作为多组件可用能容量；

6)根据单组件80%能量注入试验的实际温升、实际注入能量和标注额定能容量下理论温升计算散热反系数，并采用散热反系数对多组件可用能容量进行修正，得到多组件实际可用能容量；所述的散热反系数=单组件80%能量注入试验实际温升能量比/多组件理论温升能量比，多组件实际可用能容量=多组件可用能容量×散热反系数。

2.根据权利要求1所述的多个单组件SiC灭磁电阻并联后能容量计算方法，其特征在于，步骤2)中，所述单组件表面温度的均温系数的计算公式如下：

其中T为i点的表面温度，n为测试表面用于计算的温度点数；在取温度点时以取典型点为原则，取的点数越多均温系数计算结果越准确。

3.根据权利要求1或2所述的多个单组件SiC灭磁电阻并联后能容量计算方法，其特征在于，步骤3)中，单组件实际允许注入能量限值的具体计算步骤如下：

a)根据单组件的设计参数，计算单组件理论温升能量比=给定注入能量下的理论温升/给定注入能量；

b)根据单组件设计温度上限值与单组件运行环境温度，求取单组件允许温升=单组件设计温度上限值-单组件运行环境温度；

c)根据均温系数求取单组件实际允许注入能量限值=单组件允许温升×均温系数/单组件理论温升能量比。

4.根据权利要求1或2所述的多个单组件SiC灭磁电阻并联后能容量计算方法，其特征在于，步骤5)中，单组件能量限值决定的整组总允许吸收能量值=单组件的实际允许注入能量限值/该单组件在多组件能量注入均能试验中的吸收能量占比。

5.根据权利要求1或2所述的多个单组件SiC灭磁电阻并联后能容量计算方法，其特征在于，步骤6)中，根据单组件80%能量注入试验计算试验实际温升能量比，该单组件80%能量注入试验实际温升能量比=试验实际平均温升/试验实际注入能量值。